公开(公告)号：FR3037439A1

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：FR1555362

申请日：2015-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FOURNEL RICHARD ,  GIANESELLO FREDERIC ,  GUYADER FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/58

Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).

公开(公告)号：FR3037720A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555654

申请日：2015-06-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/74 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un composant électronique comprenant une couche semiconductrice (1) dont une première face (F2) est revêtue d'une première couche isolante (7) et dont une deuxième face (F1) est revêtue d'une structure d'interconnexion, dans lequel un pion conducteur (37) isolé latéralement s'étend à travers la couche semiconductrice à partir d'une portion de couche conductrice (11) de la structure d'interconnexion jusqu'à un plot de contact (43) disposé au niveau de la première couche isolante.