公开(公告)号：FR3046293A1

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：FR1563435

申请日：2015-12-29

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： PIAZZA FAUSTO ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  JEANNOT SIMON

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un transistor MOS haute tension, HV, et au moins un condensateur, CAPA, dans lequel : l'empilement de grille (11) du transistor HV comporte première couche isolante (5, 7) reposant sur une couche semiconductrice (1) et revêtue d'un premier silicium polycristallin (9) ; le condensateur CAPA comporte une première électrode (13) en le premier silicium polycristallin, et une deuxième électrode (25) en un deuxième silicium polycristallin (23) reposant au moins en partie sur la première électrode, un isolant (15, 17, 19) séparant la deuxième électrode de la couche semiconductrice et de la première électrode ; des premiers espaceurs en oxyde de silicium (39) bordent latéralement la deuxième électrode (25) et l'empilement de grille (11) du transistor HV ; et des deuxièmes espaceurs en nitrure de silicium (41) bordent les premiers espaceurs (39).