公开(公告)号：FR3097682B1

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：FR1906589

申请日：2019-06-19

Applicant: STMICROELECTRONICS GMBH ,  STMICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  YVON ARNAUD ,  SAADNA MOHAMED ,  SCARPA VLADIMIR

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318

Abstract: Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium La présente description concerne un composant (200) monolithique comportant un transistor de puissance à effet de champ (T1) et au moins une première diode Schottky (SC1) dans et sur un même substrat au nitrure de gallium (301). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3040539A1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：FR1558035

申请日：2015-08-28

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L29/872

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky comprenant, entre une face inférieure et une face supérieure : un support de silicium (31) ; une couche de GaN non dopé (5) ; un ou plusieurs motifs formés dans une couche d'AlGaN (7) dont chacun s'étend entre une première métallisation (37) formant un contact ohmique et une deuxième métallisation (40) formant contact Schottky ; des premiers vias (46) s'étendant des deuxièmes métallisations vers la face supérieure ; et des deuxièmes vias (38) s'étendant des premières métallisations vers la face inférieure.

公开(公告)号：FR3010228B1

公开(公告)日：2016-12-30

申请号：FR1358324

申请日：2013-08-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L21/71 ,  H01L23/12 ,  H01L29/872

公开(公告)号：FR3017242B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1450886

申请日：2014-02-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： YVON ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  CORDIER YVON

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329