公开(公告)号：EP3739622A1

公开(公告)日：2020-11-18

申请号：EP20172288.1

申请日：2020-04-30

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： SARAFIANOS, Alexandre ,  MARINET, Fabrice ,  DELALLEAU, Julien

IPC: H01L23/00 ,  G06K19/073 ,  H01L23/64

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur (SB) ayant une face avant et une face arrière, au moins une première prise de contact (PC1), au moins une deuxième prise de contact (PC2), espacées situées au niveau de la face avant, et une plaque électriquement conductrice (PL) située sur la face arrière et des premiers moyens de détection (MS1) configurés pour détecter un amincissement éventuel du substrat à partir de la face arrière, lesdits premiers moyens de détection comportant des premiers moyens de mesure (MS1) configurés pour effectuer une première mesure d'une valeur résistive du substrat entre ladite au moins une première prise de contact (PC1), ladite au moins une deuxième prise de contact (PC2) et ladite plaque électriquement conductrice (PL).

公开(公告)号：EP3772093A1

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：EP20186529.2

申请日：2020-07-17

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： DELALLEAU, Julien ,  JULIEN, Franck

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: Le procédé de fabrication de transistors du type à effet de champ à grille métal-oxyde « MOSFET », comprend une étape d'implantation de régions de drains faiblement dopées et une étape de formation de régions de grilles ayant une longueur physique de grille (Lgate) associée à une longueur de canal de référence. L'étape d'implantation de régions de drain faiblement dopées est exécutée avant l'étape de formation de régions de grilles, et comprend une formation d'un masque d'implantation définissant les régions de drains faiblement dopées et une longueur effective de canal (Leff) de chaque transistor MOSFET, la formation du masque d'implantation étant configurée pour définir une longueur effective de canal (Leff) d'au moins un transistor MOSFET différente de la longueur de canal de référence respective.