公开(公告)号：EP3772093A1

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：EP20186529.2

申请日：2020-07-17

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： DELALLEAU, Julien ,  JULIEN, Franck

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: Le procédé de fabrication de transistors du type à effet de champ à grille métal-oxyde « MOSFET », comprend une étape d'implantation de régions de drains faiblement dopées et une étape de formation de régions de grilles ayant une longueur physique de grille (Lgate) associée à une longueur de canal de référence. L'étape d'implantation de régions de drain faiblement dopées est exécutée avant l'étape de formation de régions de grilles, et comprend une formation d'un masque d'implantation définissant les régions de drains faiblement dopées et une longueur effective de canal (Leff) de chaque transistor MOSFET, la formation du masque d'implantation étant configurée pour définir une longueur effective de canal (Leff) d'au moins un transistor MOSFET différente de la longueur de canal de référence respective.

公开(公告)号：EP3809455A1

公开(公告)日：2021-04-21

申请号：EP20200176.4

申请日：2020-10-06

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： JULIEN, Franck ,  MARZAKI, Abderrezak

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11541

Abstract: Le procédé de fabrication de circuit intégré comprend une phase de formation de tranchées comprenant :
- une formation d'une première couche d'arrêt (20) ;
- une formation d'une deuxième couche d'arrêt (30) sur la première couche d'arrêt (20) dans une deuxième zone (Z2) seulement ;
- une gravure sèche (400) configurée pour graver en un temps donné la première couche d'arrêt (20) puis au moins une première tranchée (410) dans le substrat (10) jusqu'à une première profondeur (P1), et pour graver en même temps dans la deuxième zone (Z2), la deuxième couche d'arrêt (30), puis la première couche d'arrêt (20), puis au moins une deuxième tranchée (420) dans le substrat (10) jusqu'à une deuxième profondeur (P2), la deuxième profondeur (P2) étant inférieure à la première profondeur (P1).