公开(公告)号：EP1223614A1

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：EP02290038.5

申请日：2002-01-09

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Menut, Olivier ,  Gris, Yvon

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76235 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2022

Abstract: On élabore un substrat initial monocristallin 1 présentant localement et en surface au moins une discontinuité 4 du réseau cristallin. On évide le substrat initial au niveau de la discontinuité. On amorphise le réseau cristallin en périphérie de l'évidemment.On dépose sur la structure obtenue une couche de matière amorphe ayant la même composition chimique que celle du substrat initial. On effectue un recuit thermique de la structure obtenue afin de recristalliser la matière amorphe en continuité avec le réseau monocristallin du substrat initial.

Abstract translation: 半导体单晶衬底是通过在其表面上具有晶格不连续局部，非晶围绕在不连续形成的凹部的周边的格子，在沉积无定形材料相同对所得到的没有初始的衬底的初始单晶衬底（1）形成由 结构，和热退火，再结晶的无定形材料。 半导体单晶基板的生产涉及：（a）形成初始单晶衬底（1），然后依次沉积在初始衬底（1）的第一层（2）的第一材料和第二层（3）的 第二材料，并蚀刻沟槽（4）的所有其随后填充有填充材料和形成在单晶晶格的晶格不连续性; （B）在所述沟槽的所述填充材料的上半部分相对于在执行选择性蚀刻到所述第二层（3），所述第一层（2）和（4），以便形成在水平横向腔体和凹部 单晶的不连续性，以及去除所述第二层（3）; （C）非晶围绕所述凹部的周围的单晶晶格; （D）沉积具有象初始衬底的相同化学组成的非晶材料层（1）中获得在所述结构上; 和（e）热退火该结构中，为了再结晶的无定形材料所以也变得与初始衬底的单晶晶格连续的。 初始底物选自硅，锗，碳化硅，砷化镓选择，以合金包含至少一些论文材料制成。 非晶化步骤（c）通过使用掩模涉及到凹口周围的局部离子注入。非晶化是自对准在沟槽（4）。 之前或之后的阶段（e）中，该结构的表面被平坦化，优选地通过化学 - 机械抛光。 独立claimsoft在集成电路给出对于包括通过上述方法制备的单晶硅衬底，和包括在所述衬底的身体产生的至少两个相邻晶体管并包括至少一个埋入沟槽在隔离沟槽分隔的掩埋层形成 毗邻晶体管。

公开(公告)号：EP1225637A1

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：EP02290039.3

申请日：2002-01-09

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Menut, Olivier ,  Gris, Yvon

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

Abstract: Le circuit intégré comprend un substrat SB incorporant un dispositif semiconducteur du type photodiode comportant une jonction P/N. Le dispositif comporte une tranchée capacitive TRC enterrée dans le substrat et connectée en parallèle avec ladite jonction

Abstract translation: 一种集成电路提供确实包括基板掺入具有p-n结的半导体光电二极管器件。 光电二极管装置包括掩埋在衬底和连接在与所述结并联的至少一个电容性沟槽。 在优选实施例中，基板由硅形成，并且电容沟槽包括在由分开部分笼罩在绝缘壁并晚从基板拉力内部区域内部的掺杂硅区。 这样提供了一种用于在包括衬底上制造集成电路的方法并集成了具有p-n结的半导体光电二极管器件。

公开(公告)号：EP1282158A1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：EP02354116.2

申请日：2002-07-29

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Menut, Olivier ,  Jaouen, Hervé ,  Bouche, Guillaume

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/8249

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact (27) entre un substrat semiconducteur (10) et une couche de silicium polycristallin (20) dopée déposée sur le substrat (10) avec interposition d'une couche isolante (19), caractérisé en ce que l'on implante à travers la couche de silicium polycristallin (20) des éléments propres à rendre la couche isolante (19) perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polycristallin (20). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant notamment un transistor MOS à canal d'un premier type de conductivité et un transistor bipolaire du type à émetteur-collecteur d'un second type de conductivité comportant une zone de contact selon l'invention.

Abstract translation: 在绝缘层（19）上插入沉积在衬底上的半导体衬底（10）和多晶硅掺杂层（20）之间形成接触件（27）的方法包括：跨越层（20），一些元件 以使绝缘层可渗透掺杂剂从多晶硅向衬底的迁移。

公开(公告)号：EP1223614B1

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：EP02290038.5

申请日：2002-01-09

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Menut, Olivier ,  Gris, Yvon

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76235 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2022