公开(公告)号：EP1261030A1

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：EP02291127.5

申请日：2002-05-06

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Varrot, Michel ,  Bouche, Guillaume ,  Gonella, Roberto ,  Sabouret, Eric

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S257/92 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: Chaque plot de connexion PLC comporte :

une couche métallique supérieure continue CMS située au niveau de métallisation supérieur et comportant sur sa face supérieure une zone pour le soudage d'un fil de connexion, et
une structure de renfort STR située sous la zone de soudage et comportant au moins une couche métallique discontinue CMD4 située au niveau de métallisation immédiatement inférieur, des vias métalliques VS reliant cette couche métallique discontinue à la surface inférieure de la couche métallique supérieure, et un enrobage isolant OX enrobant ladite couche métallique discontinue et ses discontinuités ainsi que les espaces intervias entre ces deux couches métalliques.

Abstract translation: 每个连接焊盘包括在顶部金属化层上的连续的顶部金属层，并且在其顶面上具有用于焊接连接线的区域。 此外，焊盘在焊接区域下具有加强结构，并且在紧接着的下一个金属化层面上包括至少一个不连续金属层，将不连续金属层连接到顶部金属层的底表面的金属通孔以及隔离盖覆盖物 不连续的金属层及其不连续性以及两个金属层之间的通孔间隔。

公开(公告)号：EP1458095B1

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

公开(公告)号：EP1458095A3

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur comprenant les étapes suivantes: former sur un substrat isolant (5), une première portion (6) d'un matériau conducteur et une deuxième portion d'un autre matériau posée sur la première portion; former une couche isolante dont la surface supérieure affleure au niveau de la partie supérieure de la deuxième portion; former par une succession de dépôts et de gravures une poutre (3) d'un matériau conducteur passant au-dessus de la deuxième portion, les extrémités de la poutre étant posées sur la couche isolante de part et d'autre de la deuxième portion, la deuxième portion étant découverte d'un côté et de l'autre de la poutre, une troisième portion (1) d'un matériau piézoélectrique posée sur la poutre et une quatrième portion (2) d'un matériau conducteur posée sur la troisième portion au-dessus de la partie de la poutre située au-dessus de la deuxième portion; éliminer la deuxième portion.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造谐振器的方法，其包括以下步骤：在绝缘基板（5）上形成导电材料的第一部分（6）和放置在第一部分（6）上的另一材料的第二部分 部分; 形成其上表面与第二部分的上部齐平的绝缘层; 通过一系列沉积和蚀刻形成通过第二部分的导电材料的梁（3），梁的端部被放置在第二部分的任一侧上的绝缘层上， 所述第二部分在所述梁的一侧和另一个上暴露，放置在所述梁上的压电材料的第三部分（1）和放置在所述第三部分上的导电材料的第四部分（2） 在所述第二部分上方的所述梁的所述部分上方; 消除第二部分。

公开(公告)号：EP1282158A1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：EP02354116.2

申请日：2002-07-29

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Menut, Olivier ,  Jaouen, Hervé ,  Bouche, Guillaume

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/8249

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact (27) entre un substrat semiconducteur (10) et une couche de silicium polycristallin (20) dopée déposée sur le substrat (10) avec interposition d'une couche isolante (19), caractérisé en ce que l'on implante à travers la couche de silicium polycristallin (20) des éléments propres à rendre la couche isolante (19) perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polycristallin (20). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant notamment un transistor MOS à canal d'un premier type de conductivité et un transistor bipolaire du type à émetteur-collecteur d'un second type de conductivité comportant une zone de contact selon l'invention.

Abstract translation: 在绝缘层（19）上插入沉积在衬底上的半导体衬底（10）和多晶硅掺杂层（20）之间形成接触件（27）的方法包括：跨越层（20），一些元件 以使绝缘层可渗透掺杂剂从多晶硅向衬底的迁移。

公开(公告)号：EP1536439B1

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：EP04106043.5

申请日：2004-11-24

Applicant: STMICROELECTRONICS S.A. ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Casset, Fabrice ,  Bouche, Guillaume ,  Rivoire, Maurice

IPC: H01G5/18 ,  H01H59/00 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01G5/18 ,  H01H1/50 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0081 ,  H03H9/173

公开(公告)号：EP1468960A3

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：EP04300177.5

申请日：2004-04-01

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/00 ,  H03H9/17 ,  H03H9/46 ,  H03H9/54 ,  H01H61/06 ,  H03H9/02 ,  H03H9/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/10

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H03H9/172 ,  H03H2009/02181

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un résonateur (1) formé d'une couche piézoélectrique (3) en sandwich entre deux électrodes métalliques (4, 5), le résonateur étant posé sur une poutre en suspension, le dispositif comprenant des moyens (20, 21, 22, 23) pour déformer ladite poutre (2) par effet bilame.

公开(公告)号：EP1468960B1

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：EP04300177.5

申请日：2004-04-01

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/00 ,  H03H9/17 ,  H03H9/46 ,  H03H9/54 ,  H01H61/06 ,  H03H9/02 ,  H03H9/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/10

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H03H9/172 ,  H03H2009/02181

公开(公告)号：EP1468960A2

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：EP04300177.5

申请日：2004-04-01

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/00 ,  H03H9/17 ,  H03H9/46 ,  H03H9/54 ,  H01H61/06 ,  H03H9/02 ,  H03H9/00 ,  H03H3/02 ,  H03H3/10

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H03H9/172 ,  H03H2009/02181

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un résonateur (1) formé d'une couche piézoélectrique (3) en sandwich entre deux électrodes métalliques (4, 5), le résonateur étant posé sur une poutre en suspension, le dispositif comprenant des moyens (20, 21, 22, 23) pour déformer ladite poutre (2) par effet bilame.

Abstract translation: 可调微型谐振器（1）具有夹在两个金属电极（4,5）之间的压电层（3）。 谐振器安装在悬臂梁上，悬臂梁形成为具有可变形性的双金属材料。 梁可以具有加热插入件（22,23）和由具有与梁不同的热膨胀特性的材料形成的一个或多个插入块（20,21）。

公开(公告)号：EP1458095A2

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur comprenant les étapes suivantes: former sur un substrat isolant (5), une première portion (6) d'un matériau conducteur et une deuxième portion d'un autre matériau posée sur la première portion; former une couche isolante dont la surface supérieure affleure au niveau de la partie supérieure de la deuxième portion; former par une succession de dépôts et de gravures une poutre (3) d'un matériau conducteur passant au-dessus de la deuxième portion, les extrémités de la poutre étant posées sur la couche isolante de part et d'autre de la deuxième portion, la deuxième portion étant découverte d'un côté et de l'autre de la poutre, une troisième portion (1) d'un matériau piézoélectrique posée sur la poutre et une quatrième portion (2) d'un matériau conducteur posée sur la troisième portion au-dessus de la partie de la poutre située au-dessus de la deuxième portion; éliminer la deuxième portion.

Abstract translation: 通过在第一部分上在绝缘基板（10）上形成导电材料的第一部分和另一材料的第二部分来形成谐振器，形成绝缘层（20），其绝缘层（20）的上表面与 第二部分，通过一系列沉积和蚀刻形成第二部分上方的导电材料的梁（30），并且移除第二部分。 谐振器的制造包括在绝缘基板上形成第一部分的导电材料的第一部分和在第一部分上的另一材料的第二部分，第二部分由相对于在其中形成的其它元件的材料可选择性地蚀刻的材料形成 处理; 形成其上表面与所述第二部分的上部齐平的绝缘层; 通过一系列沉积和蚀刻形成第二部分上方的导电材料束，光束端部位于第二部分的任一侧上的绝缘层上，第二部分的上表面暴露在光束的任一侧上， 梁上的压电材料的第三部分和位于第二部分上方的梁部分上方的第三部分上的导电材料的第四部分; 并移除第二部分。