公开(公告)号：EP1071094A1

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：EP99830403.4

申请日：1999-06-25

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Bedarida, Lorenzo ,  Dima, Vincenzo ,  Brani, Francesco ,  Defendi, Marco

IPC: G11C7/14 ,  G11C16/28

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/14

Abstract: A circuit for reading a semiconductor memory device comprises at least one global circuit (1) for generating a global reference signal (RIFN) for a respective plurality of cell-reading circuits (SA1-SAn) disposed locally in the memory device. The circuit comprises at least one circuit (51-5an) for replicating the reference signal (RIFN) locally in order to generate a local reference signal (MAT11-MAT1n) to be supplied to at least one respective cell-reading circuit (SA1-SAn).

Abstract translation: 用于读取半导体存储器件的电路包括至少一个全局电路（1），用于为本地存储在存储器件中的多个单元读取电路（SA1-SAn）生成全局参考信号（RIFN）。 该电路包括用于本地复制参考信号（RIFN）的至少一个电路（51-5an），以便产生要提供给至少一个相应的单元读取电路（SA1-SAn）的本地参考信号（MAT11-MAT1n） ）。

公开(公告)号：EP1071094B1

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：EP99830403.4

申请日：1999-06-25

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Bedarida, Lorenzo ,  Dima, Vincenzo ,  Brani, Francesco ,  Defendi, Marco

IPC: G11C7/14 ,  G11C16/28

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/14