公开(公告)号：EP2317553A1

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：EP10188931.9

申请日：2010-10-26

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Micciche', Monica ,  Grimaldi, Antonio Giuseppe ,  Bazzano, Gaetano ,  Frazzetto, Nicolò

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0694 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: A semiconductor structure (100; 200; 300) comprising; a substrate (5; 302) of semiconductor material of a first type of conductivity; a first semiconductor layer (7) set in direct electrical contact with the substrate on a first side (2) of the substrate; a second semiconductor layer (8) set in direct electrical contact with the substrate on a second side (4) of the substrate; a first active electronic device (10; 303) formed in the first semiconductor layer (7); and a second active electronic device (12; 62; 305) formed in the second semiconductor layer (8).

Abstract translation: 一种半导体结构（100; 200; 300），包括： 具有第一类导电性的半导体材料的衬底（5; 302）; 在衬底的第一侧（2）上与衬底直接电接触的第一半导体层（7）; 在所述基板的第二侧（4）上与所述基板直接电接触的第二半导体层（8）; 形成在第一半导体层（7）中的第一有源电子器件（10; 303）。 和形成在第二半导体层（8）中的第二有源电子器件（12; 62; 305）。