公开(公告)号：EP1450411A1

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：EP03425099.3

申请日：2003-02-21

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Frisina, Ferruccio ,  Ferla, Giuseppe ,  Magri', Angelo ,  Salinas, Dario

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712

Abstract: A MOS power device having: a body (10); gate regions (34) on top of the body (10) and delimiting therebetween a window (40); a body region (35), extending in the body underneath the window; a source region (36), extending inside the body region (35) throughout the width of the window; body contact regions (43), extending through the source region up to the body region; source contact regions (46), extending inside the source region, at the sides of the body contact regions; a dielectric region (41) on top of the source region; openings (42, 45) traversing the dielectric region on top of the body and source contact regions (43, 46); and a metal region (50) extending above the dielectric region (41) and through the first and second openings (42, 45).

Abstract translation: 一种MOS功率器件，具有：主体（10）; 门区域（34）在主体（10）的顶部上并在其间界定窗口（40）; 身体区域（35），其在所述窗户下方的身体中延伸; 源区域（36），其在所述窗体的整个宽度内在所述体区域（35）内延伸; 身体接触区域（43），延伸穿过源区域直到身体区域; 源极接触区域（46），其在源极区域内延伸，位于身体接触区域的侧面; 在所述源极区域的顶部上的电介质区域（41） 穿过主体顶部的电介质区域和源极接触区域（43,46）的开口（42,45）; 以及在所述电介质区域（41）上方延伸并且穿过所述第一和第二开口（42,45）的金属区域（50）。

公开(公告)号：EP1791173A1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：EP05425836.3

申请日：2005-11-25

Applicant: STMicroelectronics S.r.l. ,  Consiglio Nazionale delle Ricerche

Inventor： Salinas, Dario ,  Fortunato, Guglielmo ,  Magri',Angelo ,  Mariucci, Luigi ,  Cuscuna', Massimo ,  Camalleri, Cateno Marco

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/268 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66712 ,  H01S5/0261

Abstract: A process for manufacturing a MOS device (40) envisages: providing a semiconductor layer (20); forming a gate structure (26) above the semiconductor layer (20); forming a first doped region (30; 45) within a first surface portion (20a) of the semiconductor layer (20); and irradiating the first doped region (30; 45) with electromagnetic radiation, to carry out annealing thereof. Prior to the irradiating step, a dielectric mirror (10) is formed above a second surface portion (20b) of the semiconductor layer (20). The dielectric mirror (10), in particular, of the Bragg-reflector type, reflects at least in part the electromagnetic radiation, and protects underlying regions from said electromagnetic radiation.

Abstract translation: 制造MOS器件（40）的工艺设想：提供半导体层（20）; 在所述半导体层（20）上形成栅极结构（26）; 在所述半导体层（20）的第一表面部分（20a）内形成第一掺杂区域（30; 45）; 并用电磁辐射照射第一掺杂区域（30; 45），进行退火。 在照射步骤之前，在半导体层（20）的第二表面部分（20b）的上方形成电介质镜（10）。 特别是布拉格反射器类型的电介质镜（10）至少部分地反映电磁辐射，并且保护下面的区域免受所述电磁辐射的影响。