公开(公告)号：EP0447848A2

公开(公告)日：1991-09-25

申请号：EP91102967.6

申请日：1991-02-27

Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

Inventor： Malin, Cosmas ,  Hoyle, Philip

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/47

CPC classification number: G01N21/93 ,  G01N21/4785

Abstract: Die dargestellte Vorrichtung beinhaltet ein Verfahren zum Kalibrieren von Licht-Scannern und enthält eine Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden, speziell für die Messung von Partikeln und/oder die Oberflächeninspektion von Substraten, insbesondere von Wafers.
Dabei gelangt das von einem Laser (20) ausgestrahlte und focusierte Licht auf ein Referenzmedium (27) das ausserhalb der Fokusebene (10) angeordnet ist. Durch Vergleich des Streulichtanteils zwischen zu inspizierenden Substrat und Referenzmedium mit Hilfe eines Photodetektors (7) wird die Oberfläche des Wafers analysiert.

Abstract translation: 所示的装置包括用于光学扫描仪的校准的方法，包括对设备进行用于产生散射光的振幅限定，爱特别是对颗粒和/或衬底的表面的检查中，爱的特别的晶片的测量。 ... 在这种情况下，它是由一个激光（20）发射并聚焦的光的所有传递到其焦平面（10）的外部布置的参考介质（27）所有。 的晶片的表面是由被检查基板和参考媒体之间的散射光成分的比较由光电检测器（7）进行分析。 ... ...

公开(公告)号：EP0447848B1

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：EP91102967.6

申请日：1991-02-27

Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

Inventor： Malin, Cosmas ,  Hoyle, Philip

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/47

CPC classification number: G01N21/93 ,  G01N21/4785

公开(公告)号：EP0447848A3

公开(公告)日：1992-07-01

申请号：EP91102967.6

申请日：1991-02-27

Applicant: TENCOR INSTRUMENTS

Inventor： Malin, Cosmas ,  Hoyle, Philip

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/47

CPC classification number: G01N21/93 ,  G01N21/4785

Abstract: Die dargestellte Vorrichtung beinhaltet ein Verfahren zum Kalibrieren von Licht-Scannern und enthält eine Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden, speziell für die Messung von Partikeln und/oder die Oberflächeninspektion von Substraten, insbesondere von Wafers.
Dabei gelangt das von einem Laser (20) ausgestrahlte und focusierte Licht auf ein Referenzmedium (27) das ausserhalb der Fokusebene (10) angeordnet ist. Durch Vergleich des Streulichtanteils zwischen zu inspizierenden Substrat und Referenzmedium mit Hilfe eines Photodetektors (7) wird die Oberfläche des Wafers analysiert.