Abstract:
Die dargestellte Vorrichtung beinhaltet ein Verfahren zum Kalibrieren von Licht-Scannern und enthält eine Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden, speziell für die Messung von Partikeln und/oder die Oberflächeninspektion von Substraten, insbesondere von Wafers. Dabei gelangt das von einem Laser (20) ausgestrahlte und focusierte Licht auf ein Referenzmedium (27) das ausserhalb der Fokusebene (10) angeordnet ist. Durch Vergleich des Streulichtanteils zwischen zu inspizierenden Substrat und Referenzmedium mit Hilfe eines Photodetektors (7) wird die Oberfläche des Wafers analysiert.
Abstract:
Die Vorrichtung zeigt eine Substrathalterung (70), die sich speziell für das Greifen und Halten von Wafers eignet. Dabei ist dann ein solcher Wafer (31) in der planen Ebene gegenüberliegend zwischen einem Tragelement (29) und entsprechenden Klemmpinns (63,64) eingespannt. Die Einspannkraft wird einerseits durch eine Feder (61) gegen einen Pneumatikzylinder (60) erzeugt und andererseits über Dämpfungselemente (72) gesteuert. Auf der einen Einspannseite -beim Tragelement (29)- ist dabei eine fixe Positionierung vorgesehen und auf der Gegenseite -bei den Klemmpinns (63, 64)- ist eine flexible Positionierung vorgesehen. Die ganze Vorrichtung lässt sich über optische Mittel (66, 67, 68) entsprechend positionieren.
Abstract:
Die dargestellte Vorrichtung beinhaltet ein Verfahren zum Kalibrieren von Licht-Scannern und enthält eine Anordnung zum Erzeugen definierter Streulichtamplituden, speziell für die Messung von Partikeln und/oder die Oberflächeninspektion von Substraten, insbesondere von Wafers. Dabei gelangt das von einem Laser (20) ausgestrahlte und focusierte Licht auf ein Referenzmedium (27) das ausserhalb der Fokusebene (10) angeordnet ist. Durch Vergleich des Streulichtanteils zwischen zu inspizierenden Substrat und Referenzmedium mit Hilfe eines Photodetektors (7) wird die Oberfläche des Wafers analysiert.