中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

4 records (took 0.026 seconds)

    Thermal detector and method of making the same
    1.
    发明公开
    Thermal detector and method of making the same 失效
    Wärmedetektor和Herstellungsverfahren。

    公开(公告)号：EP0680101A1

    公开(公告)日：1995-11-02

    申请号：EP95302967.5

    申请日：1995-05-01

    Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

    Inventor： Robinson, James E. ,  Belcher, James F. ,  Beratan, Howard R. ,  Frank, Steven N. ,  Hanson, Charles M. ,  Johnson, Paul O. ,  Kyle, Robert J.S. ,  Meissner, Edward G. ,  Owen, Robert A. ,  Shelton, Gail D. ,  Walker, William K.

    IPC: H01L37/02 ,  H01L27/16

    CPC classification number: G01J5/34 ,  H01L37/02 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49144

    Abstract: A thermal detection system (10) includes a focal plane array (12), a thermal isolation structure (14), and an integrated circuit substrate (16). Focal plane array (12) includes thermal sensors (28), each having an associated thermal sensitive element (30). Thermal sensitive element (30) is coupled with one side to infrared absorber and common electrode assembly (36) and on the opposite side to an associated contact pad (20) disposed on the integrated circuit substrate (16). Reticulation kerfs (52a, 52b) separate adjacent thermal sensitive elements (30a, 30b, 30c) by a distance at least half the average width (44, 46) of a single thermal sensitive element (30a, 30b, 30c). A continuous, non-reticulated optical coating (38) may be disposed over thermal sensitive elements (30a, 30b, 30c) to maximize absorption of thermal radiation incident to focal plane array (12).

    Abstract translation: 热检测器（10）包括焦平面阵列（12），热隔离结构（14）和集成电路基板（16）。 焦平面阵列（12）包括热传感器（28），每个具有相关联的热敏元件（30）。 热敏元件（30）与一侧耦合到红外线吸收器和公共电极组件（36），并且与设置在集成电路基板（16）上的相关接触焊盘（20）的相对侧耦合。 网状切口（52a，52b）将相邻的热敏元件（30a，30b，30c）分开距离为单个热敏元件（30a，30b，30c）的平均宽度（44,46）的至少一半。 连续的非网状光学涂层（38）可以设置在热敏元件（30a，30b，30c）之上，以最大程度地吸收入射到焦平面阵列（12）的热辐射。

    Multiple level mask for patterning of ceramic materials
    3.
    发明公开
    Multiple level mask for patterning of ceramic materials 失效
    Mehrschichtige Maskefürdie Strukturierung von keramischen Materialien。

    公开(公告)号：EP0677500A2

    公开(公告)日：1995-10-18

    申请号：EP95104916.2

    申请日：1995-04-03

    Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

    Inventor： Belcher, James F. ,  Long, John P. ,  Frank, Steven N. ,  Jones, Jeanee

    IPC: C04B41/53 ,  H01L27/148 ,  H01L27/146

    CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B41/5338 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/00844 ,  H01L27/1465 ,  H01L37/02 ,  Y10S438/951 ,  C04B41/4562 ,  C04B41/4592 ,  C04B35/00 ,  C04B35/465

    Abstract: A novel multiple level mask (e.g. tri-level mask 36) process for masking achieves a desired thick mask with substantially vertical walls and thus improves the ion milling process of ceramic materials (e.g. BST). An embodiment of the present invention is a microelectronic structure comprising a ceramic substrate, an ion mill mask layer (e.g. photoresist 42) overlaying the substrate, a dry-etch-selective mask layer (e.g. TiW 40) overlaying the ion mill mask layer, the dry-etch-selective mask layer comprising a different material than the ion mill mask layer, a top photosensitive layer (38) overlaying the dry-etch-selective mask layer, the top photosensitive layer comprising a different material than the dry-etch-selective mask layer, and a predetermined pattern formed in the top photosensitive layer, the dry-etch-selective mask layer and the ion mill mask layer. The predetermined pattern has substantially vertical walls in the ion mill mask layer.

    Abstract translation: 用于掩蔽的新型多层掩模（例如三层掩模36）工艺实现了具有基本垂直壁的期望的厚掩模，并因此改善了陶瓷材料（例如BST）的离子研磨过程。 本发明的一个实施例是一种微电子结构，其包括陶瓷衬底，覆盖衬底的离子磨掩模层（例如光致抗蚀剂42），覆盖离子磨掩模层的干蚀刻选择性掩模层（例如TiW 40） 干蚀刻选择性掩模层，其包括与离子磨掩模层不同的材料，覆盖干蚀刻选择性掩模层的顶部光敏层（38），顶部光敏层包含与干蚀刻选择性不同的材料 掩模层，以及形成在顶部光敏层中的预定图案，干蚀刻选择掩模层和离子磨掩模层。 该预定图案在离子磨掩模层中具有基本垂直的壁。

Patent Agency Ranking