公开(公告)号：DE112009002174B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE112009002174

申请日：2009-08-17

Applicant: ULVAC INC

Inventor： SATOU TADAYUKI ,  OKA TADASHI ,  NAKAMURA KYUZO

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: Elektrostatische Haltevorrichtung (6), umfassend:eine Halteplatte (61) aus dielektrischem Material; undeine erste Elektrode (631) und eine zweite Elektrode (632), wobei beide Elektroden (631, 632) in der Halteplatte (61) so angeordnet sind, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat (S) an eine Oberfläche der Halteplatte (61) anzuziehen,wobei die elektrostatische Haltevorrichtung (6) weiter auf einem Teil der Fläche der Halteplatte (61) einen Substrathalteabschnitt (64) mit einer Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats (S) umfasst,wobei eine Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) in einem freien Zustand davon um eine vorgegebene Höhe aus der Oberfläche der Halteplatte (61) herausragt und, wenn das zu bearbeitende Substrat (S) durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) an die Oberfläche der Halteplatte (61) angezogen wird, der Substrathalteabschnitt (64) so zusammengedrückt wird, dass die Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) bündig mit der Oberfläche der Halteplatte (61) wird.

公开(公告)号：DE112009002174T5

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE112009002174

申请日：2009-08-17

Applicant: ULVAC INC

Inventor： SATOU TADAYUKI ,  OKA TADASHI ,  NAKAMURA KYUZO

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: Elektrostatische Haltevorrichtung, umfassend eine Halteplatte aus dielektrischem Material; und eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, wobei beide Elektroden in der Halteplatte so angeordnet sind, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat an eine Oberfläche der Halteplatte anzuziehen, wobei die elektrostatische Haltevorrichtung weiter auf einem Teil der Fläche der Halteplatte einen Substrathalteabschnitt mit einer Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats umfasst.

公开(公告)号：EP2148360A4

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：EP08752425

申请日：2008-05-08

Applicant: ULVAC INC

Inventor： MORIKAWA YASUHIRO ,  SUU KOUKOU ,  HAYASHI TOSHIO ,  SATOU TADAYUKI

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/332 ,  H03H3/02

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L41/332 ,  H03H3/02

Abstract: A dry etching method by which a substrate can be dry-etched on both sides without a crack is provided. The dry etching method includes: introducing an etching gas having a fluorocarbon gas and a rare gas into a vacuum chamber; generating plasma in the vacuum chamber having a predetermined pressure; and etching a substrate to be processed adhered on an adhesive surface of a heat-conductive sheet disposed on a substrate table.