公开(公告)号：CN103441053B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310095077.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 深圳市槟城电子有限公司

Inventor： 付猛

IPC: H01J17/16 ,  H01J17/04 ,  H01J9/00 ,  H01J9/30

CPC classification number: H01J17/04 ,  H01J9/02 ,  H01J9/265 ,  H01J17/183 ,  H01J19/02 ,  H01J19/28 ,  H01J19/54 ,  H01J21/00 ,  H01J21/36

Abstract: 本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座，在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成，有效提高了气体放电管的放电效果，大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程，使得制备工序大大简化，实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。

公开(公告)号：CN105390934A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510978943.6

申请日：2015-12-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王琦龙 ,  翟雨生 ,  杜小飞 ,  齐志央 ,  李晓华

IPC: H01S5/10 ,  H01J19/02

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01J19/02

Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。

公开(公告)号：CN106783474A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611048211.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： D·帕蒂 ,  M·S·金

IPC: H01J21/02 ,  H01J21/10 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J19/02 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18 ,  H01J21/04 ,  H01J21/105 ,  H01J21/20 ,  H01J2209/012 ,  H01J2209/02 ,  H01J9/027 ,  H01J21/02

Abstract: 一种真空集成电子器件具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。

公开(公告)号：CN103441053A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310095077.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 深圳市槟城电子有限公司

Inventor： 付猛

IPC: H01J17/16 ,  H01J17/04 ,  H01J9/00 ,  H01J9/30

CPC classification number: H01J17/04 ,  H01J9/02 ,  H01J9/265 ,  H01J17/183 ,  H01J19/02 ,  H01J19/28 ,  H01J19/54 ,  H01J21/00 ,  H01J21/36

Abstract: 本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座，在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成，有效提高了气体放电管的放电效果，大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程，使得制备工序大大简化，实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。

公开(公告)号：EP3171387A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：EP16194697.5

申请日：2016-10-19

Applicant: STMicroelectronics S.r.l. ,  STMicroelectronics Pte Ltd.

Inventor： PATTI, Davide Giuseppe ,  KIM, Myung Sung

IPC: H01J9/02 ,  H01J21/10

CPC classification number: H01J19/02 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18 ,  H01J21/04 ,  H01J21/105 ,  H01J21/20 ,  H01J2209/012 ,  H01J2209/02

Abstract: A vacuum integrated electronic device (120) has an anode region (101) of conductive material; an insulating region (102, 104) on top of the anode region; a cavity (54) extending through the insulating region and having a sidewall (53); and a cathode region (109). The cathode region has a tip portion (51, 52) extending peripherally within the cavity, adjacent to the sidewall of the cavity. The cathode region is formed by tilted deposition, carried out at an angle of 30-60° with respect to a perpendicular to the surface of device.

Abstract translation: 真空集成电子器件（120）具有导电材料的阳极区域（101） 在所述阳极区域的顶部上的绝缘区域（102,104） 延伸穿过绝缘区域并具有侧壁（53）的空腔（54）; 和阴极区（109）。 阴极区具有在空腔内沿周边延伸的邻近空腔侧壁的尖端部分（51,52）。 阴极区域通过倾斜沉积形成，相对于器件表面的垂线以30-60°的角度进行。

公开(公告)号：WO2016182080A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/JP2016/064390

申请日：2016-05-13

Applicant: 国立大学法人山口大学

Inventor： 横川　俊哉 ,  真田　篤志

IPC: H01L21/28 ,  H01J19/02 ,  H01J21/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J19/02 ,  H01J21/10 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 窒化ガリウム－窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。　ゲート電極をなす導体基板１１と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層１２と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極１３１と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極１３２とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム－窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のｃ軸方向とのなす角度が３０度以下となるように配置されたものである。

Abstract translation: 提供了使用氮化镓 - 氮化铝混合晶体半导体的真空沟道晶体管，并且其中电子发射效率提高，并且电子发射的阈值电压降低。 该真空通道晶体管包括：构成栅电极的导体基板11; 绝缘层12，其形成在导体基板上并由绝缘体形成; 在绝缘层上形成的源电极131; 以及形成在绝缘层上以与源电极相对的漏电极132。 源电极由具有纤锌矿结构的氮化镓 - 氮化铝混合晶体半导体的晶体形成，并且被布置成使得电子的主发射方向与晶体结构的c轴方向之间的角度为30° 或更少。

公开(公告)号：WO2014146523A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/CN2014/072010

申请日：2014-02-13

Applicant: 深圳市槟城电子有限公司

Inventor： 付猛

IPC: H01J17/16 ,  H01J17/04 ,  H01J9/00 ,  H01J9/30

CPC classification number: H01J17/04 ,  H01J9/02 ,  H01J9/265 ,  H01J17/183 ,  H01J19/02 ,  H01J19/28 ,  H01J19/54 ,  H01J21/00 ,  H01J21/36

Abstract: 本申请提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座，在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成，有效提高了气体放电管的放电效果，大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程，使得制备工序大大简化，实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本申请还提供一种集成气体放电管的制备方法。

公开(公告)号：JP6341551B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2017518012

申请日：2016-05-13

Applicant: 国立大学法人山口大学

Inventor： 横川 俊哉 ,  真田 篤志

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J21/10 ,  H01J9/14 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01J19/02 ,  H01J21/10 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JPWO2016182080A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2017518012

申请日：2016-05-13

Applicant: 国立大学法人山口大学

Inventor： 横川 俊哉 ,  真田 篤志

IPC: H01L21/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/14 ,  H01J21/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J19/02 ,  H01J21/10 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 窒化ガリウム−窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。ゲート電極をなす導体基板11と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層12と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極131と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極132とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム−窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである。

公开(公告)号：KR100766950B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020060100481

申请日：2006-10-16

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 류경선

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133603 ,  G02F2001/133612 ,  G09G3/3406 ,  H01J9/025 ,  H01J19/02 ,  H01J2201/3165

Abstract: A light emitting device and a display device are provided to achieve uniform brightness over an entire light emitting surface by installing point light sources outside the second substrate and removing a portion where light is not emitted by a spacer. A vacuum container includes a first substrate(12), a second substrate(14), and a sealing member. An electron emitting unit is provided at one surface of the first substrate and emits an electron. A light emitting unit is provided at an inner surface of the second substrate facing the first substrate and emits visible light by the electron. A plurality of spacers is installed between the first substrate and the second substrate. A plurality of point light sources(36) is installed at an outer surface of the second substrate corresponding to the spacer mounting positions. The point light sources are light emitting diodes.

Abstract translation: 提供一种发光装置和显示装置，通过在第二基板外部安装点光源并去除不由间隔物发射光的部分，在整个发光表面上实现均匀的亮度。 真空容器包括第一基板（12），第二基板（14）和密封部件。 电子发射单元设置在第一基板的一个表面并发射电子。 在第二基板的面向第一基板的内表面处设置发光单元，并且通过电子发射可见光。 多个间隔件安装在第一基板和第二基板之间。 多个点光源（36）安装在对应于间隔件安装位置的第二基板的外表面处。 点光源是发光二极管。