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公开(公告)号：CN107731649A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710991602.1
申请日：2017-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J37/32853 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。
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公开(公告)号：CN102907181A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN107845568A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711042411.7
申请日：2017-10-31
Applicant: 浙江华越芯装电子股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/02057 , H01J37/32715 , H01J37/32908 , H01L21/67333
Abstract: 本发明公开一种集成电路封装键合前等离子清洗方法及装置，所述装置包括等离子清洗机，所述等离子清洗机设有高频电源系统、自动控制系统，以及真空室，所述真空室分别与氩氢混合气源、氮气气源相连通，所述真空室通过泵体系统进行内部空气抽取。所述清洗方法包括抽真空，充入氩氢混合气，等离子清洗，充入氮气等步骤。本发明所述的等离子清洗方法和装置，具有清洗高效、快速，清洗成本低等特点。
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公开(公告)号：CN102458031B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110330675.9
申请日：2011-10-20
Applicant: 许廷格电子两合公司
CPC classification number: H02P9/00 , G06F8/38 , H01J37/32908 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明涉及一种用于等离子体应用和/或感应加热应用的功率供给系统(100，200)，其具有：a.至少两个不同类型的可控制的功率发生器(10，30)，其分别分配有一个标识(13，33)，b.用于控制所述功率发生器(10，30)中的至少一个的操作单元(12，32)，具有i.显示装置(17，37)，在所述显示装置上可显示图形用户界面(70)，ii.输入装置(18，38)，所述输入装置用于操纵所述图形用户界面(70)，iii.操作应用(19，39)，所述操作应用读取与其连接的功率发生器(10，30)的标识(13，33)并且根据针对每个功率发生器(10，30)存放的、特定于发生器的配置数据(16，36)和所述标识(13，33)在所述显示装置(17，37)上建立所述图形用户界面。
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公开(公告)号：CN105810544A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610212943.X
申请日：2016-04-07
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/32798 , H01J37/32807 , H01J37/32908 , H01L21/67213
Abstract: 本发明提供一种离子注入设备的冷却单元，用于在对半导体衬底和衬底托盘进行冷却，包括：热交换单元、第一管路、第二管路；还包括：补充液槽和中转液槽；中转液槽，用于进行冷却液的中转、将第二管路中的气体排出；第三管路和位于第三管路上的第一中转阀门；第四管路和位于第四管路上的第二中转阀门，所述第二中转阀门与第一中转阀门同步开启或同步关闭；第五管路，所述第五管路上设置有第一补充阀门；第六管路，所述第六管路上设置有第二补充阀门，所述第二补充阀门与第一补充阀门同步开启或关闭。本发明能够在离子注入过程中对半导体衬底进行有效冷却，减少了由于半导体衬底温度过高造成的射程末端缺陷，改善了半导体器件的漏电流缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102870503B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180021881.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡洛·贝拉 , 拉瑞·D·艾利萨迦
CPC classification number: H01J37/02 , F28D2021/0028 , F28F7/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或腔室部件温度的部件和系统。第一传热流体通道设置于部件中、等离子体处理腔室内设置的工作表面下方，使得该第一通道在该工作表面的第一温度区域下方的第一长度可包括与该第一通道在该工作表面的第二温度区域下方的第二长度不同的传热系数(h)或传热面积(A)。在实施例中，不同的传热系数或传热面积设置成温度区域的函数，以使对该第一温度区域与该第二温度区域的温度控制更为独立。
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公开(公告)号：CN106842966A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102907181B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN104517795A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410499774.3
申请日：2014-09-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 拉金德尔·迪恩赛 , 肯·卢彻斯 , 卢克·奥巴伦德
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H01J37/32431 , H01J37/244 , H01J37/32623 , H01J37/32807 , H01J37/32908
Abstract: 本发明涉及射频输送路径的阻抗的控制。等离子体系统包括射频发生器以及包括阻抗匹配电路的匹配盒，该匹配盒经由射频电缆联接到所述射频发生器。所述等离子体系统包括卡盘以及经由射频线联接到所述匹配盒的等离子体反应器。射频线形成射频供应路径的一部分，所述射频供应路径在所述射频发生器与所述匹配盒之间延伸并且延伸到所述卡盘。等离子体系统进一步包括联接到所述阻抗匹配电路与所述卡盘之间的所述射频供应路径上的相位调节电路。所述相位调节电路的一端联接到所述射频供应路径并且另一端接地。所述等离子体系统包括联接到所述相位调节电路的控制器。所述控制器用于根据调节配方改变所述相位调节电路的参数以控制所述射频供应路径的阻抗。
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公开(公告)号：CN104505327A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410798842.6
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
Inventor： 张庆钊
IPC: H01J37/32 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J37/32807 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
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