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公开(公告)号：CN1394372A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803534.5
申请日：2001-09-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡层及第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置后端小平面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡层被构成以便于横切于前端小平面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层由相同层组成。因此，在具有简易构成结构的小平面附近提供有一个电流阻挡层结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的小平面COD等级及长期连续工作的高可靠性。
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公开(公告)号：CN1561567A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。
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公开(公告)号：CN1278464C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1259760C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN02142273.7
申请日：2002-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/2077 , H01S5/222
Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层(25)的至少一侧设具有活性层(25)的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层(27)，在光波导层(27)外侧设具有光波导层(27)的禁带宽度以上的禁带宽度的包层(28)，在光波导层(27)上，设经选择成长埋入的、具有带状窗(R21)的折射率控制层(31)的实际折射率波导型半导体激光元件中，该折射率控制层的膜厚在300nm以下，折射率控制层(31)埋入光波导层(27)；在埋入的折射率控制层(31)上设先行选择成长的半导体层(30)，在包含半导体层(30)和折射率控制层(31)的叠层部分中，半导体层(30)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层(31)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
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公开(公告)号：CN1407677A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02142273.7
申请日：2002-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/2077 , H01S5/222
Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
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公开(公告)号：CN1653659A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810405.9
申请日：2003-05-08
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 三井化学株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/146 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/1039 , H01S5/1096 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/02
Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。
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公开(公告)号：CN1204665C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01803534.5
申请日：2001-09-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡部分及第二电流阻挡部分，所述第一电流阻挡部分被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端面与对面的所述装置后端面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡部分被构成以便于横穿于前端面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡部分和所述第二电流阻挡部分由同一层组成。因此，在具有简易构成结构的面附近提供有一个电流阻挡部分结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的面COD等级及长期连续工作的高可靠性。
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公开(公告)号：CN1206460A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN97191508.3
申请日：1997-10-24
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 具有压电元件60和70组成的压电单元80,在压电元件60的整个下表面62上设置激振电极22,在压电元件60和70间的整个表面上设置激振电极21。激振电极21和22与驱动信号源90相连。在压电元件70的上表面71上设置检测电极31～34,检测电极31和34与输出端50之一相连,检测电极32和33与输出端50的另一端相连。压电元件70向上极化,压电元件60向下极化。激起沿长度方向的激振纵向1次振动,并由检测电极31～34检测2次弯曲振动,输出一个与复合向心力(转动角速度)成正比的电压。上述结构的振动陀螺仪无须贴合,可以降低制造成本、实现薄型化、窄型化。
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