公开(公告)号：CN1198029A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108900.3

申请日：1998-03-27

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 五十岚康一 ,  大枝靖雄 ,  室清文

IPC: H01S3/25

CPC classification number: G02B27/12 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/425 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/123 ,  H01S3/005 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4031

Abstract: 半导体激光源,包括:发射激光束的半导体激光器矩阵,其偏振平面相互平行,其两个垂直方向中的发散角θz和θx满足不等式θz>θx;按发散角θz的减小方向会聚由半导体激光器矩阵发射的激光束的圆柱形透镜;控制偏振方向使穿过圆柱形透镜的激光束的偏振平面相互成90度的波板;利用折射效应合并穿过波板的激光束的光路的折射光学元件;和按发散角θx减小方向会聚由折射光学元件合并的激光束的光发射表面。因此,能大大提高激光束的合并效率和激光束连接到随后的光学系统的效率。

公开(公告)号：CN1561567A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819066.1

申请日：2002-09-25

Applicant: 三井化学株式会社 ,  古河电气工业株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  冈田知 ,  藤本毅 ,  小矶武 ,  室清文 ,  大久保典雄 ,  大木泰

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/146 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。

公开(公告)号：CN1653659A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810405.9

申请日：2003-05-08

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 早水尚树 ,  大木泰 ,  青柳秀雄 ,  小矶武 ,  山形友二 ,  室清文

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/146 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。

公开(公告)号：CN1278464C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02819066.1

申请日：2002-09-25

Applicant: 三井化学株式会社 ,  古河电气工业株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  冈田知 ,  藤本毅 ,  小矶武 ,  室清文 ,  大久保典雄 ,  大木泰

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/146 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。

公开(公告)号：CN1259760C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN02142273.7

申请日：2002-08-29

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  室清文 ,  小矶武

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/222

Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层(25)的至少一侧设具有活性层(25)的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层(27)，在光波导层(27)外侧设具有光波导层(27)的禁带宽度以上的禁带宽度的包层(28)，在光波导层(27)上，设经选择成长埋入的、具有带状窗(R21)的折射率控制层(31)的实际折射率波导型半导体激光元件中，该折射率控制层的膜厚在300nm以下，折射率控制层(31)埋入光波导层(27)；在埋入的折射率控制层(31)上设先行选择成长的半导体层(30)，在包含半导体层(30)和折射率控制层(31)的叠层部分中，半导体层(30)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层(31)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。

公开(公告)号：CN1663087A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03815009.3

申请日：2003-06-27

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 大枝靖雄 ,  室清文 ,  大久保典雄

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/20 ,  H01S5/2004

Abstract: 在n型衬底(1)上，依次层叠了n型包层(2)、n型波导层(3)、n型载流子阻挡层(4)、激活层(5)、p型载流子阻挡层(6)、p型波导层(7)。在p型波导层(7)内部，在除去了长度方向与光出射方向平行的带状的一部分区域以外的部分上，配置了n型阻流层(8)。在p型波导层(7)上，依次层叠了p型包层(9)、p型接触层(10)、p侧电极(11)。在n型衬底(1)的底面上，配置了n侧电极(12)。此外，对从外部入射的光的波长，n型包层(2)的折射率具有与有效折射率相等的值；而对出射波长的光，n型包层(2)及p型包层(9)具有比有效折射率低的折射率。

公开(公告)号：CN1407677A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02142273.7

申请日：2002-08-29

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  室清文 ,  小矶武

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/222

Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。