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公开(公告)号：CN118116439A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311462210.8
申请日：2023-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址解码器，其基于从包括第一温度传感器的外部装置接收的地址来控制多条字线当中的所选字线；第二温度传感器，其测量多个存储器单元当中的连接到所选字线的第一存储器单元的读温度；以及温度补偿电路，其基于读温度和由第一温度传感器测量出的第一存储器单元的编程温度来计算读电平偏移，并且基于读电平偏移来生成补偿读电压。地址解码器还被配置为将补偿读电压提供给所选字线。
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公开(公告)号：CN107943712B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201710697138.5
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。
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公开(公告)号：CN115129630A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111546316.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法，包括：基于第一读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于所述第一DMA读取操作更新DMA寄存器的页计数值；确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据是否包括不可纠正的错误；当确定通过所述第一DMA读取操作读取的数据包括不可纠正的错误时，基于所述DMA寄存器的经更新的页计数值确定与所述第一读取电压不同的第二读取电压，而无需对存储在所述非易失性存储器件中的数据进行附加的读取操作；以及基于所述第二读取电压对存储在所述非易失性存储器件中的数据执行第二DMA读取操作。
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公开(公告)号：CN119512443A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410708471.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息，所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为在引导或初始化期间从所述非易失性存储器件读取所述快速单元信息，以执行基于快速单元管理策略对快速单元区域进行映射，其中，所述快速单元信息是通过在测试阶段或大量生产评价阶段中执行的所述单次编程获取的，并且在所述存储控制器的固件被运行之前被存储在所述非易失性存储器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117672311A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310548292.1
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。
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公开(公告)号：CN115938440A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210858214.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
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公开(公告)号：CN115831200A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210776544.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。
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公开(公告)号：CN117437965A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310301818.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。
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公开(公告)号：CN115203081A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210025928.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1027
Abstract: 存储控制器与非易失性存储器件通信，并且该存储控制器的操作方法包括：确定第一读取电压是否被注册在历史表处；当确定第一读取电压被注册在历史表处时，基于第一读取电压对存储在非易失性存储器件中的数据执行第一直接存储器存取(DMA)读取操作；基于第一DMA读取操作获得页计数值；基于页计数值与空闲计数值之差来确定与第一读取电压不同的第二读取电压，而无需针对存储在非易失性存储器件中的数据的附加读取操作；以及基于第二读取电压更新历史表中的第一读取电压。
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