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公开(公告)号：CN117992370A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311048272.4
申请日：2023-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备，该存储设备包括：存储器件，包括多个存储块，并将包括第一状态数据和第一参数的第一元数据存储在多个存储块之中的第一存储块中；以及存储控制器，存储包括第二状态数据和第二参数的第二元数据，通过将包括第一状态数据和第二状态数据在内的多个状态数据进行比较，在包括第一元数据和第二元数据在内的多个元数据之中确定最终元数据，执行参数确认，以将最终元数据存储在元块中，并基于存储在元块中的参数来控制存储器件。
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公开(公告)号：CN111009280B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910832232.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。
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公开(公告)号：CN107015917B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201611174599.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种储存装置的读取回收方法，包括：在随机数量的读操作的周期，检测存储于多个存储块中每一个内的非选择数据中的错误位数量。关于读操作的数量，以大于基准率的率值增加的检测到的错误位数量的存储块在一个或更多读操作的随机数的周期上被选择为弱块。存储于弱块中的非选择数据中的错误位数量在读操作的固定数量的周期被检测。检测根据固定数量周期检测到的错误位数量是否大于或等于读取回收基准。非选择数据为没有被主机请求的数据。
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公开(公告)号：CN111667858A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010483932.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107689236B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710637135.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107015917A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611174599.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/076 , G06F11/0727 , G06F11/0751 , G06F11/102 , G06F11/1072 , G11C16/3495 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G06F12/0246 , G06F3/0614 , G06F3/064 , G06F3/065 , G06F3/0679
Abstract: 一种储存装置的读取回收方法，包括：在随机数量的读操作的周期，检测存储于多个存储块中每一个内的非选择数据中的错误位数量。关于读操作的数量，以大于基准率的率值增加的检测到的错误位数量的存储块在一个或更多读操作的随机数的周期上被选择为弱块。存储于弱块中的非选择数据中的错误位数量在读操作的固定数量的周期被检测。检测根据固定数量周期检测到的错误位数量是否大于或等于读取回收基准。非选择数据为没有被主机请求的数据。
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公开(公告)号：CN118506838A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311536920.0
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了用于非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：启动包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块的相应可靠性操作的第一实例，相应可靠性操作包括检测相应存储器块的劣化水平并且基于检测到的劣化水平来设置相应跳过参考值；确定相应可靠性操作的连续跳过实例的相应数量是否小于设置的相应跳过参考值；以及基于确定结果，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例。
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公开(公告)号：CN107797935B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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