公开(公告)号：CN111309517B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201910840852.4

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN107943712B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201710697138.5

申请日：2017-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  姜宇现 ,  金珉奎

IPC: G06F12/02

Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。

公开(公告)号：CN114724607A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111192474.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐荣德 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  申东旻 ,  姜宇现 ,  吴信镐

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G06N3/04

Abstract: 提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。

公开(公告)号：CN107943712A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710697138.5

申请日：2017-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  姜宇现 ,  金珉奎

IPC: G06F12/02

CPC classification number: H03M13/05 ,  G11C16/26 ,  G11C29/52 ,  H03M13/611 ,  G06F12/0253

Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。

公开(公告)号：CN111309517A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910840852.4

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN110795362A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910692796.4

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  吴信镐 ,  咸东勋

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种存储设备可以包括：监视模块，监视包括在非易失性存储器的单元阵列中的多个块的特性劣化速率；组管理模块，基于所述监视模块的监视结果将所述多个块指定为一个或更多个组；刷新周期管理模块，确定所述一个或更多个组中的每个组的刷新周期；以及处理器，根据所确定的刷新周期对所述一个或更多个组执行刷新。

公开(公告)号：CN110795362B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910692796.4

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  吴信镐 ,  咸东勋

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种存储设备可以包括：监视模块，监视包括在非易失性存储器的单元阵列中的多个块的特性劣化速率；组管理模块，基于所述监视模块的监视结果将所述多个块指定为一个或更多个组；刷新周期管理模块，确定所述一个或更多个组中的每个组的刷新周期；以及处理器，根据所确定的刷新周期对所述一个或更多个组执行刷新。

公开(公告)号：CN119739559A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411604756.7

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN116126582A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211000588.1

申请日：2022-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  赵映澈

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 本申请提供了管理强错误信息的存储器控制器及其操作方法。所述操作存储器控制器的方法包括：基于使用正常读取电平从监视单位的存储单元读取的数据来收集硬判决信息；基于使用与所述正常读取电平不同的一个或更多个偏移读取电平从所述监视单位读取的数据来收集软判决信息；将基于所述硬判决信息和所述软判决信息确定的第一强错误信息存储在所述存储器控制器中的存储器中；以及，将存储了所述第一强错误信息之后针对所述监视单位确定的第二强错误信息更新在所述存储器中。所述第二强错误信息用于纠正响应于来自主机的读取请求而读取的数据中的错误。