-
公开(公告)号：CN111710763A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010181351.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其覆盖第一导电型半导体层的一部分；以及第二导电型半导体层，其覆盖有源层的一部分，第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与有源层的侧壁间隔开。
-
公开(公告)号：CN110649049A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560832.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/32 , G06K9/00
Abstract: 提供了一种发光器件封装件、一种包括发光器件封装件的显示装置和一种制造发光器件封装件的方法。所述发光器件封装件包括：衬底，其具有第一表面和第二表面，并且具有彼此间隔开的第一开口和第二开口；发光结构，其布置在衬底的第一表面上并且与第一开口竖直地重叠；以及图像传感器，其包括光电转换区，光电转换区布置在衬底中，并且与第二开口竖直地重叠。来自发光结构的光通过第一开口朝着衬底的第二表面发射。
-
公开(公告)号：CN116487501A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058501.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。
-
公开(公告)号：CN113284882A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110149012.0
申请日：2021-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和显示设备。该半导体发光装置包括：棒形式的发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且具有第一表面、与第一表面相对的第二表面和连接第一表面和第二表面的侧表面；再生长半导体层，其围绕发光结构的整个侧表面，并且具有在沿着侧表面的周边的第一位置处的第一厚度和在沿着侧表面的周边的第二位置处的与第一厚度不同的第二厚度；第一电极，其位于发光结构的第一表面上，并且连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，其位于发光结构的第二表面上，并且连接到第二导电类型半导体层。
-
公开(公告)号：CN110729321A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910231211.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元，半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；波长转换单元，其分别对应于半导体发光单元，并且波长转换单元中的每一个布置成对应于第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与单元阵列对应的波长转换单元之间；以及开关单元，其布置在阻挡结构中并且电连接到半导体发光单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426992A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310197218.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或AlzGa1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P（0.7≤v≤1）或AlwIn1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。
-
公开(公告)号：CN110010734B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
-
公开(公告)号：CN111009601A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910628665.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。
-
公开(公告)号：CN110034214A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811509616.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。
-
公开(公告)号：CN110010734A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.029 seconds)
