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公开(公告)号：CN110391265A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910211266.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。
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公开(公告)号：CN110391265B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910211266.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。
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公开(公告)号：CN114967399A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110980169.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维全息显示设备，包括:发光二极管(LED)阵列，其包括被控制为根据预设图案顺序地输出光的多个光源；透镜，被配置为折射从LED阵列入射的光；空间光调制器(SLM)，被配置为调制从透镜入射的光；以及处理器，被配置为生成多个全息信号，每个全息信号包括根据多个光源中的每一个的布置位置调整的深度信息，并且对于多个光源中的每一个，控制SLM基于对应于光源的全息信号来调制光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739381A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910645520.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50 , H01L33/48 , H01L27/15 , F21S41/141 , F21V9/32 , F21W102/13 , F21W107/10 , F21Y115/10
Abstract: 提供了一种发光装置、一种用于交通工具的大灯和一种交通工具。发光装置包括发射阵列和分隔壁，发射阵列包括多个发光元件。发射阵列包括彼此邻近的第一区和第二区。分隔壁被构造为将第一区和第二区彼此隔离，使得分隔壁至少部分地限定发射阵列中的第一区。第一区与第一发射因数关联，第二区与第二发射因数关联，第二发射因数与第一发射因数不同。
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公开(公告)号：CN116487501A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058501.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。
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公开(公告)号：CN115113414A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210041279.2
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校世宗产学协力团
Abstract: 本发明提供了复合光调制器、全息显示装置、以及产生全息图案的方法，其中该复合光调制器包括相位调制器和振幅调制器，相位调制器和振幅调制器被配置为产生具有第一复合光调制特性的第一复合像素和具有第二复合光调制特性的第二复合像素，其中第一复合像素包括以3×3形式提供并被配置为实现第一复合光调制特性的第一子复合像素，其中第二复合像素包括以3×3形式提供并被配置为实现第二复合光调制特性的第二子复合像素，其中第一复合像素和第二复合像素分别包括第一重叠像素，第一重叠像素被包括在第一子复合像素和第二子复合像素中。
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公开(公告)号：CN103078035A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210412020.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/407 , C23C16/45578 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN114649363A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111507816.X
申请日：2021-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置包括：多个发光结构，所述多个发光结构中的每一个包括第一表面和第二表面，多个压花部设置在第一表面上；分隔壁结构，其设置在多个发光结构的第一表面上，并且包括限定多个像素空间的多个分隔壁；以及荧光体层，其设置在多个像素空间中。分隔壁结构的底表面接触多个压花部。
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