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公开(公告)号：CN102800781A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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公开(公告)号：CN103765614A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073034.8
申请日：2011-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
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公开(公告)号：CN116487501A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058501.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800781B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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公开(公告)号：CN103797594A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073508.9
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面提供了一种波长转换发光二极管（LED）芯片以及用于制造该波长转换LED芯片的方法，其中所述方法包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的顶面上的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的表面朝向上部；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在芯片排列区域上形成含荧光物质树脂封装部件以覆盖导电凸块；抛光含荧光物质树脂封装部件以暴露该含荧光物质树脂封装部件的顶面上的导电凸块；切割LED芯片之间的含荧光物质树脂封装部件，以形成波长转换LED芯片（在此，通过含荧光物质树脂封装部件获得的波长转换层形成在波长转换LED芯片的侧表面和顶面上）；以及从波长转换LED芯片去除临时支撑板。
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公开(公告)号：CN103733359A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180072761.2
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。
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公开(公告)号：CN103180975A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051281.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
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公开(公告)号：CN102856481A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210226038.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。
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