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公开(公告)号：CN100448062C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410035079.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L51/0003 , H01L51/0009 , H01L51/5246
Abstract: 本发明公开一种具有位于阴极触点和密封接合区域上的辅助层以便容易地去除结的聚合物有机层的有机电致发光显示器及其制造方法。该有机电致发光显示器具有形成在下部绝缘衬底上的第一电极；被形成用来使得第一电极的某些部分开口在下部绝缘衬底的整个表面上的像素定义层；形成在第一电极的开口上的有机发射层；形成在有机发射层上的第二电极；用于密封第一电极、有机发射层和第二电极的顶部衬底；以及形成在下部绝缘衬底的阴极触点和密封接合区域上的辅助层。
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公开(公告)号：CN1944069A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140373.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。
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公开(公告)号：CN1753591A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200410103799.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示器和制造该显示器的方法。这种OLED及其制造方法能够形成一个具有开口的无机像素限定层并使无机像素限定层具有无断裂点的弯曲顶表面，其中开口用于暴露第一电极的至少一部分。由于无机像素限定层的顶表面有无断裂点的弯曲横截面，在激光诱导热成像工艺中第一电极和有机层图案紧密粘结从而能利用低能量激光束进行转印，由此提高了转印效率，提高了OLED的发光效率，并延长了OLED的寿命。
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公开(公告)号：CN1744777A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410094219.9
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M7/00 , B41M7/0027 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像方法。该激光诱导热成像方法包括制备施主元件和基板；将施主元件的转移层朝向基板，然后将转移层构图到基板上；然后退火已构图的基板。
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公开(公告)号：CN1622708A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089749.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器可以如下构成：TFT衬底，该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT；下电极，其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一；绝缘层，其具有暴露一部分下电极的开口；有机薄膜层，其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上；以及上电极，其形成在有机薄膜层上，其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角，并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100448055C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410089749.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器可以如下构成：TFT衬底，该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT；下电极，其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一；绝缘层，其具有暴露一部分下电极的开口；有机薄膜层，其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上；以及上电极，其形成在有机薄膜层上，其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角，并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
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公开(公告)号：CN1982076A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610148550.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
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公开(公告)号：CN1744782A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099748.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3244
Abstract: 提供了一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括：准备用于供体基板的基底；清洗基底；在已清洗的基底上形成转印层；以及通过使得供体基板与像素电极形成于其上的基板相对来构图转印层。
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公开(公告)号：CN1744778A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410095472.6
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , B41M5/38221 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种制造有机发光显示器的激光感热成像(LITI)装置。该激光感热成像装置包括：一个布置有基板的平台；一个用于传输施主基板的传输装置；一个叠层该基板与施主基板的叠层器；一个执行LITI的激光光学单元；和提供有一种惰性气体的大气压力的室，前述平台、叠层器和激光光学单元被布置在该室中。根据本发明的LITI装置通过调整惰性气体气氛中氧气和水蒸汽的分压来进行转移工艺，从而可以保护基板上将被转移的有机层和像素电极免受外部空气的影响，从而提高了所制造有机发光显示器的寿命特性。
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公开(公告)号：CN1622361A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410011802.9
申请日：2004-09-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/20 , H05B33/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L51/5209
Abstract: 一种可通过减少接触孔和通孔的圆锥角来降低元件故障的平面显示器。该平面显示器包括：一至少具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，其形成于绝缘衬底上；一绝缘层，其具有用于暴露源电极和漏电极之一的通孔；以及一阳极，其通过通孔与上述源电极和漏电极之一连接。通孔和阳极具有60°或更小的圆锥角。源电极和漏电极通过接触孔分别与薄膜晶体管的源极区和漏极区连接。接触孔也具有60°或更小的圆锥角。
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