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公开(公告)号：CN1982076A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610148550.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
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公开(公告)号：CN1944070A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610163937.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体，以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室，该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台位于工序腔室内用来支撑基底；具有第二电磁体的附着框架，该附着框架位于基底台上方，供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间；以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。
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公开(公告)号：CN1983665A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163372.1
申请日：2006-12-04
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5281
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：发光元件，位于第一基底和第二基底之间，用于发光；相位差板，在发光元件发出的光的传播路径上位于第一基底或第二基底上，该相位差板用于改变入射光的相位；线栅偏光器，位于相位差板上，用于反射具有特定偏振方向的光并透射具有与特定偏振方向相反的偏振方向的光；染色系偏光器，位于线栅偏光器上，用于透射具有与特定偏振方向相反的偏振方向的光并吸收具有特定偏振方向的光。
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公开(公告)号：CN1923531A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142214.8
申请日：2006-08-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种激光感应热成像装置和使用该装置制造有机发光二极管的方法，它能在真空状态下进行激光感应热成像时减少或防止受主衬底和施主膜之间杂质或孔隙的出现。一种激光感应热成像装置，包括：包含用于接收成像层的受主衬底的衬底台，该成像层在受主衬底上形成；电磁体；具有永磁体的、设置和层叠在衬底台上的施主膜，且电磁体与施主膜的永磁体形成磁力；用于将激光发射到施主膜的激光振荡器；以及至少在其中设有衬底台的室。
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公开(公告)号：CN1923529A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121986.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/24 , B44B7/00 , H01L21/00 , H01L21/683 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
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