公开(公告)号：CN100552857C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200410089647.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈勇完 ,  李玹姃 ,  文钟云 ,  郑得锡 ,  崔浚熙 ,  赵晟希

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/3042

Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该形成碳纳米管发射器的方法包括：在衬底上以预定形状形成碳纳米管复合物；在该碳纳米管复合物上涂覆呈液相的表面处理材料，并进行干燥；以及将该变干的表面处理材料从该碳纳米管复合物上剥离。

公开(公告)号：CN1621340A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410054949.6

申请日：2004-07-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  崔浚熙

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。

公开(公告)号：CN1630002A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410089647.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈勇完 ,  李玹姃 ,  文钟云 ,  郑得锡 ,  崔浚熙 ,  赵晟希

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/3042

Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该形成碳纳米管发射器的方法包括：在衬底上以预定形状形成碳纳米管复合物；在该碳纳米管复合物上涂覆呈液相的表面处理材料，并进行干燥；以及将该变干的表面处理材料从该碳纳米管复合物上剥离。

公开(公告)号：CN1627469A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410092634.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔浚熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J29/46 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 提供了一种具有改进电子束聚焦效应的场致发射装置、一种采用该场致发射装置的显示器以及一种制造该场致发射装置的方法。该场致发射装置包括：一玻璃衬底，一形成在该玻璃衬底上的发射电极，一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器，一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器处汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置。该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；一栅绝缘层和一栅电极，它们顺序形成在该掩模层上；一在栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有两个面对CNT发射器的倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。

公开(公告)号：CN100396602C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410054949.6

申请日：2004-07-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  崔浚熙

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。