公开(公告)号：CN101162678A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710091800.9

申请日：2007-04-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  金善一 ,  朴相铉 ,  安德烈·朱尔卡尼夫 ,  郑得锡 ,  宋炳权 ,  姜昊锡 ,  白瓒郁

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02

CPC classification number: H01J1/74 ,  H01J1/70 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/28

Abstract: 本发明提供一种场发射装置的阳极面板。该阳极面板包括衬底、形成在衬底下表面上的阳极电极、形成在阳极电极下表面上并且相对于一个像素具有多个开口的黑矩阵、覆盖对应每个像素的开口和开口之间的黑矩阵的具有预定颜色的荧光体层、以及形成在荧光体层下表面上的反射层。

公开(公告)号：CN1581416A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056695.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4,500sccm。

公开(公告)号：CN100521061C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410056695.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4，500sccm。

公开(公告)号：CN100483933C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510071636.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安德烈·朱尔卡尼夫 ,  崔濬熙

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/19 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/189 ,  H03F3/193

Abstract: 提供了一种场致发射RF放大器。该场致发射RF放大器包括衬底上的RF放大单元。该RF放大单元包括阴极，形成在衬底上；栅极，形成在衬底上的阴极旁边并以预定距离与阴极隔开；阳极，以与阴极相对的方向形成在衬底上的栅极旁边；电子发射源，位于阴极上，该电子发射源借助电场发射电子；以及反射电极，形成在衬底之上并与衬底平行。RF信号输入端和DC阴极偏压电连接到阴极，并且RF输出端和DC阳极偏压电连接到阳极。

公开(公告)号：CN1700400A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072906.5

申请日：2005-05-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩仁泽 ,  吴泰植 ,  金夏辰 ,  安德烈·朱尔卡尼夫 ,  金钟玟

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J29/46 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J29/06 ,  H01J29/481

Abstract: 本发明提供了一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括：衬底；在衬底的顶面上相互平行地形成的多个底栅极电极；在底栅极电极的上面部分上垂直于底栅极电极形成的多个阴极电极，在阴极电极的与底栅极电极相交的部分中形成各个阴极孔；在阴极电极上相对于阴极孔的中心对称形成的多个发射极；及在阴极孔的中心部分形成的与底栅极电极电连接的多个栅极电极。

公开(公告)号：CN1728326A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510006492.6

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫 ,  姜昊锡 ,  申文珍

IPC: H01J31/12 ,  H01J31/15 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J1/46 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J31/127 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种含有碳纳米管发射器的场致发射显示器(FED)及其制造方法。环绕CNT发射器的栅重叠包括覆盖与CNT发射器邻接的发射器电极的掩膜层、和栅绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和在掩膜层上形成的聚焦栅电极。掩膜层的高度大于CNT发射器的高度。第一氧化硅膜具有2μm或更大的厚度，并且优选为3～15μm。在第一氧化硅膜和/或栅绝缘膜的形成工艺中，硅烷的流率维持在50～700sccm，并且硝酸(N2O)的流率维持在700～4500sccm。

公开(公告)号：CN1674433A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510071636.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安德烈·朱尔卡尼夫 ,  崔濬熙

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/19 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/189 ,  H03F3/193

Abstract: 提供了一种场致发射RF放大器。该场致发射RF放大器包括衬底上的RF放大单元。该RF放大单元包括阴极，形成在衬底上；栅极，形成在衬底上的阴极旁边并以预定距离与阴极隔开；阳极，以与阴极相对的方向形成在衬底上的栅极旁边；电子发射源，位于阴极上，该电子发射源借助电场发射电子；以及反射电极，形成在衬底之上并与衬底平行。RF信号输入端和DC阴极偏压电连接到阴极，并且RF输出端和DC阳极偏压电连接到阳极。

公开(公告)号：CN1627469A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410092634.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔浚熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J29/46 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 提供了一种具有改进电子束聚焦效应的场致发射装置、一种采用该场致发射装置的显示器以及一种制造该场致发射装置的方法。该场致发射装置包括：一玻璃衬底，一形成在该玻璃衬底上的发射电极，一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器，一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器处汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置。该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；一栅绝缘层和一栅电极，它们顺序形成在该掩模层上；一在栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有两个面对CNT发射器的倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。