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公开(公告)号：CN1737984A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510087859.1
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括：基板；第一阴极电极，形成在基板上；绝缘层，形成在基板和第一阴极电极上，并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分；第二阴极电极，形成在绝缘层上，并电连接到第一阴极电极；电子发射器，形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上；栅极绝缘层，形成在第二阴极电极上，并具有暴露凹进部分的空腔；以及栅极电极，形成在栅极绝缘层上，并具有与空腔对齐的栅极孔。
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公开(公告)号：CN1821067A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009255.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
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公开(公告)号：CN1707727A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510072913.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1661752A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510006238.6
申请日：2005-02-02
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J1/46 , H01J63/00 , G02F1/13357
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J29/481 , H01J63/06 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及场致发射器件及使用其的背光装置。场致发射器件包括以交替的平行条形成在基板上的阴极电极和栅极电极、形成在阴极电极上的用于碳纳米管生长的催化金属层、以及生长在催化金属层上的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1427437A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02144500.1
申请日：2002-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层；在合成叠层上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标材料层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标材料层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1737984B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510087859.1
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括：基板；第一阴极电极，形成在基板上；绝缘层，形成在基板和第一阴极电极上，并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分；第二阴极电极，形成在绝缘层上，并电连接到第一阴极电极；电子发射器，形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上；栅极绝缘层，形成在第二阴极电极上，并具有暴露凹进部分的空腔；以及栅极电极，形成在栅极绝缘层上，并具有与空腔对齐的栅极孔。
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公开(公告)号：CN100465720C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410092217.6
申请日：2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器的场发射背光装置。背光装置包括：下衬底；以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极；设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器；与下衬底隔开预定距离的上衬底，使得上衬底和下衬底彼此面对；形成在上衬底的底面上的第三电极；以及形成在第三电极上的荧光层，其中沿第一和第二电极中至少第一电极的两边缘以预定间隔设置发射器。由于背光装置具有三极管型场发射构造，所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中，所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上，以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压，则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号：CN100406377C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610009255.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
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公开(公告)号：CN1276496C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02144500.1
申请日：2002-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在所得结构上形成用于浮置结构的目标层；在所得结构上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。
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公开(公告)号：CN1621340A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410054949.6
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。
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