公开(公告)号：CN115570132B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210560425.2

申请日：2022-05-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭强 ,  郑王树 ,  时岩 ,  韩一帆 ,  倪梓鸿 ,  贾双悦 ,  张荻

IPC: B22F1/12 ,  C22C1/05 ,  C22C1/051 ,  C22C1/059 ,  B22F9/04 ,  B22F1/142 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C21/00 ,  C22C32/00 ,  C22C29/12

Abstract: 本发明提供了一种形状记忆陶瓷增强铝基复合材料及可调控奥氏体含量的制备方法，所述复合材料的原料包括形状记忆陶瓷和铝粉；所述复合材料的原料中，形状记忆陶瓷的质量含量为1～90％，余量为铝粉；采用的形状记忆陶瓷是以含铈的二氧化锆为基的单晶颗粒；其成分包括：3～12mol％CeO2和余量的ZrO2。本发明还通过在制备过程中采用升温奥氏体化和致密化加工的步骤，实现了奥氏体含量的可调控制备。本发明制备的形状记忆陶瓷增强铝基复合材料致密度高，基体与增强体界面无反应，奥氏体相在复合材料中质量占比为3.8～100％，实现了形状记忆陶瓷在大尺寸块材中结构‑功能完整，节能省时，适于批量制备生产。

公开(公告)号：CN115570132A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210560425.2

申请日：2022-05-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭强 ,  郑王树 ,  时岩 ,  韩一帆 ,  倪梓鸿 ,  贾双悦 ,  张荻

IPC: B22F1/12 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  B22F9/04 ,  B22F1/142 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C21/00 ,  C22C32/00 ,  C22C29/12

Abstract: 本发明提供了一种形状记忆陶瓷增强铝基复合材料及可调控奥氏体含量的制备方法，所述复合材料的原料包括形状记忆陶瓷和铝粉；所述复合材料的原料中，形状记忆陶瓷的质量含量为1～90％，余量为铝粉；采用的形状记忆陶瓷是以含铈的二氧化锆为基的单晶颗粒；其成分包括：3～12mol％CeO2和余量的ZrO2。本发明还通过在制备过程中采用升温奥氏体化和致密化加工的步骤，实现了奥氏体含量的可调控制备。本发明制备的形状记忆陶瓷增强铝基复合材料致密度高，基体与增强体界面无反应，奥氏体相在复合材料中质量占比为3.8～100％，实现了形状记忆陶瓷在大尺寸块材中结构‑功能完整，节能省时，适于批量制备生产。