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公开(公告)号：CN113355548B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110607057.8
申请日：2021-05-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯增强铝基复合材料的气氛控制粉末冶金制备方法，该方法预先在惰性气体气氛下通过球磨和热压制备石墨烯‑铝复合胚材，退火后经过热轧/热挤压等致密化加工及冷拔丝加工，最终得到所述复合材料。本发明通过在惰性气体气氛保护下球磨和热压可以获得分散均匀的石墨烯‑铝复合胚料，同时能有效避免铝基体氧化，降低复合材料的氧含量；再通过致密化加工后的冷拔丝加工进一步提升复合材料的力学和电学性能。本发明有利于最大限度降低复合材料氧含量并发挥石墨烯的强化潜能和性能优势，节能省时，适于批量制备生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112725660A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011521496.9
申请日：2020-12-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯增强铝基复合材料的粉末冶金制备方法，该方法预先通过长时间的低能量球磨制备石墨烯‑铝复合粉末，退火后经过短时间高能量球磨、致密化加工及热处理，最终得到所述复合材料。通过长时间低能量球磨实现基体粉末与石墨烯均匀复合，同时能避免界面反应的发生，保护石墨烯结构完整；退火复合粉末在提升石墨烯质量的同时能提高复合粉末的塑性变形能力；短时间高能量球磨，使复合粉末焊合成颗粒且不损伤石墨烯质量；此外对于铝合金基体的复合材料，分散均匀的石墨烯促进基体中细小弥散析出相的析出，进一步提升复合材料力学性能。本发明有利于最大限度保护石墨烯结构完整并发挥石墨烯强化潜能，节能省时，适于批量制备生产。
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公开(公告)号：CN113355548A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110607057.8
申请日：2021-05-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯增强铝基复合材料的气氛控制粉末冶金制备方法，该方法预先在惰性气体气氛下通过球磨和热压制备石墨烯‑铝复合胚材，退火后经过热轧/热挤压等致密化加工及冷拔丝加工，最终得到所述复合材料。本发明通过在惰性气体气氛保护下球磨和热压可以获得分散均匀的石墨烯‑铝复合胚料，同时能有效避免铝基体氧化，降低复合材料的氧含量；再通过致密化加工后的冷拔丝加工进一步提升复合材料的力学和电学性能。本发明有利于最大限度降低复合材料氧含量并发挥石墨烯的强化潜能和性能优势，节能省时，适于批量制备生产。
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公开(公告)号：CN115570132B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210560425.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F1/12 , C22C1/05 , C22C1/051 , C22C1/059 , B22F9/04 , B22F1/142 , B22F3/14 , B22F3/15 , C22C21/00 , C22C32/00 , C22C29/12
Abstract: 本发明提供了一种形状记忆陶瓷增强铝基复合材料及可调控奥氏体含量的制备方法，所述复合材料的原料包括形状记忆陶瓷和铝粉；所述复合材料的原料中，形状记忆陶瓷的质量含量为1～90％，余量为铝粉；采用的形状记忆陶瓷是以含铈的二氧化锆为基的单晶颗粒；其成分包括：3～12mol％CeO2和余量的ZrO2。本发明还通过在制备过程中采用升温奥氏体化和致密化加工的步骤，实现了奥氏体含量的可调控制备。本发明制备的形状记忆陶瓷增强铝基复合材料致密度高，基体与增强体界面无反应，奥氏体相在复合材料中质量占比为3.8～100％，实现了形状记忆陶瓷在大尺寸块材中结构‑功能完整，节能省时，适于批量制备生产。
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公开(公告)号：CN112798633A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011625294.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供了一种阻尼性能的微观测试方法，该方法具体步骤包括：A、将待测材料加工成微纳柱体；B、将微纳柱体进行单轴压缩实验，得到应力‑应变曲线；C、以应力‑应变曲线上弹性变形阶段的应力作为最大载荷，对微纳柱体进行等应力幅度的周期性单向压缩实验，得到工程应力‑时间曲线和工程应变‑时间曲线；D、通过统计步骤C中工程应力‑时间曲线和工程应变‑时间曲线中应变波滞后于应力波的时间，然后计算得到待测材料的阻尼系数。本发明提供了一种可以在微米尺度对材料阻尼性能进行测试的方法，能够准确测量材料的阻尼性能，检测分析精度高，适用性广泛。
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公开(公告)号：CN115570132A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210560425.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F1/12 , C22C1/05 , C22C1/10 , B22F9/04 , B22F1/142 , B22F3/14 , B22F3/15 , C22C21/00 , C22C32/00 , C22C29/12
Abstract: 本发明提供了一种形状记忆陶瓷增强铝基复合材料及可调控奥氏体含量的制备方法，所述复合材料的原料包括形状记忆陶瓷和铝粉；所述复合材料的原料中，形状记忆陶瓷的质量含量为1～90％，余量为铝粉；采用的形状记忆陶瓷是以含铈的二氧化锆为基的单晶颗粒；其成分包括：3～12mol％CeO2和余量的ZrO2。本发明还通过在制备过程中采用升温奥氏体化和致密化加工的步骤，实现了奥氏体含量的可调控制备。本发明制备的形状记忆陶瓷增强铝基复合材料致密度高，基体与增强体界面无反应，奥氏体相在复合材料中质量占比为3.8～100％，实现了形状记忆陶瓷在大尺寸块材中结构‑功能完整，节能省时，适于批量制备生产。
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