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公开(公告)号：CN100401548C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200310109270.8
申请日：2003-12-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法，属于半导体传感器及敏感元件制造工艺技术领域。本发明主要采用溶胶—凝胶工艺，其特征是：在氧化铝衬底上先浸涂二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铁层，经过热处理，形成氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件。本发明方法制备的氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件，具有较高的稳定性能和灵敏度，而且工艺简便，成本低廉。它可用于检测司机有没有过量饮酒，可以控制酒后开车问题。
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公开(公告)号：CN1194427C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03141514.8
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L49/00 , H01L21/285 , H01L21/316 , G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。本发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。
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公开(公告)号：CN101520430B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910046525.8
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种基于非共价修饰单壁碳纳米管的场效应晶体管生物检测器件的制造方法，属于纳电子器件制造和生物分析检测技术领域。具体步骤如下：将单壁碳纳米管(束)搭建在以光刻技术在表面含有绝缘氧化层的硅基底上制作出的叉指源、漏电极之间，构造基于碳纳米管的场效应晶体管。对碳纳米管表面非共价糖基化生物修饰，得到用于糖-蛋白特异性识别作用检测的碳纳米管场效应管器件。本发明中可选择修饰不同糖分子分别检测不同糖配体和受体间特异性结合行为，从而构成通用、灵敏、高效的碳纳米管场效应管生物检测器件。
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公开(公告)号：CN1475798A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03141514.8
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/407 , G01N13/16 , H01L49/00
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。本发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547269A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109270.8
申请日：2003-12-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法，属于半导体传感器及敏感元件制造工艺技术领域。本发明主要采用溶胶－凝胶工艺，其特征是：在氧化铝衬底上先浸涂二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铁层，经过热处理，形成氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件。本发明方法制备的氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件，具有较高的稳定性能和灵敏度，而且工艺简便，成本低廉。它可用于检测司机有没有过量饮酒，可以控制酒后开车问题。
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公开(公告)号：CN101520430A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910046525.8
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种基于非共价修饰单壁碳纳米管的场效应晶体管生物检测器件的制造方法，属于纳电子器件制造和生物分析检测技术领域。具体步骤如下：将单壁碳纳米管(束)搭建在以光刻技术在表面含有绝缘氧化层的硅基底上制作出的叉指源、漏电极之间，构造基于碳纳米管的场效应晶体管。对碳纳米管表面非共价糖基化生物修饰，得到用于糖－蛋白特异性识别作用检测的碳纳米管场效应管器件。本发明中可选择修饰不同糖分子分别检测不同糖配体和受体间特异性结合行为，从而构成通用、灵敏、高效的碳纳米管场效应管生物检测器件。
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公开(公告)号：CN1569831A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410017951.6
申请日：2004-04-27
Applicant: 上海大学
IPC: C07D207/08
Abstract: 本发明涉及一种新型含酚废水萃取剂N－辛酰吡咯烷及其合成方法，属于化学试剂及其制备技术领域。本发明的含酚废水萃取剂N－辛酰吡咯烷的的结构式为上式。该N－辛酰吡咯烷的合成方法包括如下步骤：首先是辛酰氯的合成；将上述得到的辛酰氯溶于干燥过的二氯甲烷待用；最后是N－辛酰吡咯烷的合成；本发明方法合成的萃取剂N－辛酰吡咯烷对苯酚有良好的萃取性能，脱酚效率高，实际使用中对苯酚的萃取分配比可高达400以上，适用于高浓度含酚工业废水的处理。
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公开(公告)号：CN1320667C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03141513.X
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
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公开(公告)号：CN1476110A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03141513.X
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
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