公开(公告)号：CN103890224A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050729.9

申请日：2012-04-11

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 稻叶光晴 ,  横田博纪 ,  山田圭介

IPC: C23C4/18 ,  B23K15/00 ,  B23K26/34 ,  C23C4/04 ,  C23C4/10

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23K15/00 ,  B23K15/06 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/127 ,  B23K26/3568 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  C23C4/04 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  H01L2221/683 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5，其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成，且具有网眼状裂纹6，所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。