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公开(公告)号:CN104272450B
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201380023475.6
申请日:2013-03-22
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法,其不存在采用粘接剂的场合的缺陷,并且设计自由度高。一种静电夹具(1),包括:基材部(2),其构成夹具主体;第1绝缘层(3),其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成;加热部(4),其由导电体构成,该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上;第2绝缘层(5),其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成;电极部(6),其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成;以及电介体层(7),其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成,该静电夹具(1)不采用粘接剂,降低了加热部(4)的体积电阻率。
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公开(公告)号:CN104272450A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201380023475.6
申请日:2013-03-22
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法,其不存在采用粘接剂的场合的缺陷,并且设计自由度高。一种静电夹具(1),包括:基材部(2),其构成夹具主体;第1绝缘层(3),其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成;加热部(4),其由导电体构成,该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上;第2绝缘层(5),其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成;电极部(6),其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成;以及电介体层(7),其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成,该静电夹具(1)不采用粘接剂,降低了加热部(4)的体积电阻率。
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公开(公告)号:CN103890223B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201280050724.6
申请日:2012-04-12
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: B05D3/06 , B23K26/0608 , B23K26/0853 , B23K26/34 , C23C4/10 , C23C4/18
Abstract: 本发明提供可形成防止过大裂纹的产生、且可以得到充分的效果的致密化层,与此同时不导致成本上升的喷涂覆膜中的致密化层的形成方法、和喷涂覆膜被覆构件。使Al2O3喷涂覆膜5的表层6的覆膜组合物再熔融、再凝固的高能束由在对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a进行扫描时向扫描方向先行进行扫描的先行激光束20和在与该先行激光束20相同的轨迹上追随地进行扫描的追随激光束21构成,使先行激光束20对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a边扫描边照射,同时,使追随激光束21对由该先行激光束20扫描后的被照射区域22边扫描边重叠照射,从而使该被照射区域22的表层6致密化。
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公开(公告)号:CN103890224A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280050729.9
申请日:2012-04-11
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: H01L21/6833 , B23K15/00 , B23K15/06 , B23K26/0006 , B23K26/127 , B23K26/3568 , B23K2101/40 , B23K2103/52 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/18 , H01L2221/683 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5,其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成,且具有网眼状裂纹6,所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。
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公开(公告)号:CN103890223A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280050724.6
申请日:2012-04-12
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: B05D3/06 , B23K26/0608 , B23K26/0853 , B23K26/34 , C23C4/10 , C23C4/18
Abstract: 本发明提供可形成防止过大裂纹的产生、且可以得到充分的效果的致密化层,与此同时不导致成本上升的喷涂覆膜中的致密化层的形成方法、和喷涂覆膜被覆构件。使Al2O3喷涂覆膜5的表层6的覆膜组合物再熔融、再凝固的高能束由在对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a进行扫描时向扫描方向先行进行扫描的先行激光束20和在与该先行激光束20相同的轨迹上追随地进行扫描的追随激光束21构成,使先行激光束20对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a边扫描边照射,同时,使追随激光束21对由该先行激光束20扫描后的被照射区域22边扫描边重叠照射,从而使该被照射区域22的表层6致密化。
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