-
公开(公告)号：CN107532272B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201680022664.5
申请日：2016-03-23
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C4/129 , B23K26/352
Abstract: 本发明提供一种基材的表面粗化方法，在大气中对陶瓷基材(2)照射功率密度为1.0×107～109W/cm2、且对照射位置的作用时间为1.0×10‑7～10‑5s的激光，将陶瓷基材(2)的表面粗化，并且在粗化表面(2a)上形成氧化膜(3)。由此，不会引起基材强度的大幅下降，并且通过粗化表面(2a)所产生的物理密合力加上化学亲和力的作用，获得与陶瓷基材(2)上形成的喷涂覆膜的高密合性。
-
公开(公告)号：CN114269507A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058524.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: B23K26/356
Abstract: 本发明的表面处理方法是对具有凹凸的基材的表面照射激光束以对该表面进行加工的表面处理方法，该激光束满足所有下述三个条件：距激光束斑的中心25μm半径范围的功率密度为1.0×103～1.0×105kW/cm2、整个激光束斑的功率密度为距激光束斑的中心25μm半径范围的功率密度的0.08～0.12倍、以及距激光束斑的中心25μm半径范围的作用时间为1.7×10‑6～1.0×10‑5秒。该方法可以除去基材表面的微细而锐利的突起部，并且保留一定的粗糙度。
-
公开(公告)号：CN107849677B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201680042893.3
申请日：2016-06-27
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: C23C4/18 , C23C4/12 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种表面改性部件的制造方法，该制造方法包括：在基材上形成喷涂覆膜的工序；对喷涂覆膜的表面照射高能束，使厚度方向上的整个喷涂覆膜和一部分基材熔融、凝固，形成致密化的改性层的工序；在最新形成的改性层上形成喷涂覆膜的工序；以及对喷涂覆膜的表面照射高能束，使厚度方向上的整个喷涂覆膜和一部分最新形成的改性层熔融、凝固，形成致密化的改性层的工序。
-
公开(公告)号：CN107849677A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042893.3
申请日：2016-06-27
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: C23C4/18 , C23C4/12 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种表面改性部件的制造方法，该制造方法包括：在基材上形成喷涂覆膜的工序；对喷涂覆膜的表面照射高能束，使厚度方向上的整个喷涂覆膜和一部分基材熔融、凝固，形成致密化的改性层的工序；在最新形成的改性层上形成喷涂覆膜的工序；以及对喷涂覆膜的表面照射高能束，使厚度方向上的整个喷涂覆膜和一部分最新形成的改性层熔融、凝固，形成致密化的改性层的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114269507B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080058524.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: B23K26/356 , B23K26/00 , B23K26/352
Abstract: 本发明的表面处理方法是对具有凹凸的基材的表面照射激光束以对该表面进行加工的表面处理方法，该激光束满足所有下述三个条件：距激光束斑的中心25μm半径范围的功率密度为1.0×103～1.0×105kW/cm2、整个激光束斑的功率密度为距激光束斑的中心25μm半径范围的功率密度的0.08～0.12倍、以及距激光束斑的中心25μm半径范围的作用时间为1.7×10‑6～1.0×10‑5秒。该方法可以除去基材表面的微细而锐利的突起部，并且保留一定的粗糙度。
-
公开(公告)号：CN107532272A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022664.5
申请日：2016-03-23
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: C23C4/02 , B23K26/00 , B23K26/352 , B32B18/00
Abstract: 本发明提供一种基材的表面粗化方法，在大气中对陶瓷基材(2)照射功率密度为1.0×107～109W/cm2、且对照射位置的作用时间为1.0×10‑7～10‑5s的激光，将陶瓷基材(2)的表面粗化，并且在粗化表面(2a)上形成氧化膜(3)。由此，不会引起基材强度的大幅下降，并且通过粗化表面(2a)所产生的物理密合力加上化学亲和力的作用，获得与陶瓷基材(2)上形成的喷涂覆膜的高密合性。
-
公开(公告)号：CN103890223B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280050724.6
申请日：2012-04-12
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: B05D3/06 , B23K26/0608 , B23K26/0853 , B23K26/34 , C23C4/10 , C23C4/18
Abstract: 本发明提供可形成防止过大裂纹的产生、且可以得到充分的效果的致密化层，与此同时不导致成本上升的喷涂覆膜中的致密化层的形成方法、和喷涂覆膜被覆构件。使Al2O3喷涂覆膜5的表层6的覆膜组合物再熔融、再凝固的高能束由在对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a进行扫描时向扫描方向先行进行扫描的先行激光束20和在与该先行激光束20相同的轨迹上追随地进行扫描的追随激光束21构成，使先行激光束20对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a边扫描边照射，同时，使追随激光束21对由该先行激光束20扫描后的被照射区域22边扫描边重叠照射，从而使该被照射区域22的表层6致密化。
-
公开(公告)号：CN103890224A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280050729.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: H01L21/6833 , B23K15/00 , B23K15/06 , B23K26/0006 , B23K26/127 , B23K26/3568 , B23K2101/40 , B23K2103/52 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/18 , H01L2221/683 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5，其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成，且具有网眼状裂纹6，所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。
-
公开(公告)号：CN103890223A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280050724.6
申请日：2012-04-12
Applicant: 东华隆株式会社
CPC classification number: B05D3/06 , B23K26/0608 , B23K26/0853 , B23K26/34 , C23C4/10 , C23C4/18
Abstract: 本发明提供可形成防止过大裂纹的产生、且可以得到充分的效果的致密化层，与此同时不导致成本上升的喷涂覆膜中的致密化层的形成方法、和喷涂覆膜被覆构件。使Al2O3喷涂覆膜5的表层6的覆膜组合物再熔融、再凝固的高能束由在对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a进行扫描时向扫描方向先行进行扫描的先行激光束20和在与该先行激光束20相同的轨迹上追随地进行扫描的追随激光束21构成，使先行激光束20对Al2O3喷涂覆膜5的表面5a边扫描边照射，同时，使追随激光束21对由该先行激光束20扫描后的被照射区域22边扫描边重叠照射，从而使该被照射区域22的表层6致密化。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.018 seconds)
