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公开(公告)号：CN111933694B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202010582154.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。
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公开(公告)号：CN111933694A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010582154.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。
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公开(公告)号：CN101719482A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910191568.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/8222 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏电阻下面的深槽，使压敏电阻成功地制作在可动的硅薄膜上，解决了压力传感器与电路加工工艺兼容的技术难题，实现了压力传感器与电路的单片集成。本发明方法适用于小型化、高可靠的压力传感器加工领域。
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公开(公告)号：CN101134557A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710092642.9
申请日：2007-08-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10－20μm、环宽为100－200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的不平整性，确保局部真空封装的实现，大大提高了局部真空封装的成品率，形成了一整套制备可动部件与环的工艺制造方法。该方法适用于微电子机械系统(MEMS)可动部件局部真空封装领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150069A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710092960.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N+硅片上的第一层N－外延层中的VDMOS晶体管栅(即两个VDMOS元胞之间)的正下方的区域，增加一个重掺杂N+区，从根本上直接降低了导通电阻，实现了降低VDMOS晶体管导通电阻的目的。本发明有效地解决了VDMOS工艺制造领域中功率VDMOS晶体管的导通电阻难于降低的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN101403118B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810233039.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: C23F1/32 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片腐蚀单面保护夹具。该夹具包括有主体密封座、密封盖、内部加强板、气导管以及气导连接件等。通过其外部主体座密封式设计、内部加强板的结构设计和加装气体导出装置设计，使该夹具在湿法化学腐蚀和电化学腐蚀工艺中，实现了硅片需要保护的一面与腐蚀液隔离，同时，解决了化学溶液加热后硅片易破碎的问题，并且可一次装夹两个硅片，提高了生产效率和成品率。本发明的硅片腐蚀单面保护夹具可广泛应用于集成电路以及微机电系统(MEMS)制造中的湿法、电化学化学腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN100561691C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710092960.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N+硅片上的第一层N-外延层中的VDMOS晶体管栅(即两个VDMOS元胞之间)的正下方的区域，增加一个重掺杂N+区，从根本上直接降低了导通电阻，实现了降低VDMOS晶体管导通电阻的目的。本发明有效地解决了VDMOS工艺制造领域中功率VDMOS晶体管的导通电阻难于降低的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN100560475C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710092642.9
申请日：2007-08-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10-20μm、环宽为100-200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的不平整性，确保局部真空封装的实现，大大提高了局部真空封装的成品率，形成了一整套制备可动部件与环的工艺制造方法。该方法适用于微电子机械系统(MEMS)可动部件局部真空封装领域。
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公开(公告)号：CN101403118A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810233039.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: C23F1/32 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片腐蚀单面保护夹具。该夹具包括有主体密封座、密封盖、内部加强板、气导管以及气导连接件等。通过其外部主体座密封式设计、内部加强板的结构设计和加装气体导出装置设计，使该夹具在湿法化学腐蚀和电化学腐蚀工艺中，实现了硅片需要保护的一面与腐蚀液隔离，同时，解决了化学溶液加热后硅片易破碎的问题，并且可一次装夹两个硅片，提高了生产效率和成品率。本发明的硅片腐蚀单面保护夹具可广泛应用于集成电路以及微机电系统(MEMS)制造中的湿法、电化学化学腐蚀工艺。
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