公开(公告)号：CN104969333B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201480007116.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  涉仁纪

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。

公开(公告)号：CN104340960A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375846.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪応 ,  涉仁纪

IPC: C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24 ,  B01J19/2415 ,  B01J2219/24

Abstract: 本发明提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。

公开(公告)号：CN104969333A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007116.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  涉仁纪

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。

公开(公告)号：CN106663626B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580044038.1

申请日：2015-09-07

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  涉仁纪 ,  龟田贤治 ,  桧山真 ,  坪田康寿

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。

公开(公告)号：CN104340960B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410375846.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪応 ,  涉仁纪

IPC: C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24 ,  B01J19/2415 ,  B01J2219/24

Abstract: 本发明提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。

公开(公告)号：CN106663626A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044038.1

申请日：2015-09-07

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  涉仁纪 ,  龟田贤治 ,  桧山真 ,  坪田康寿

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。