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公开(公告)号：CN100390989C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610058500.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H05K3/328 , H01L23/5385 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/451 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/13055 , H05K1/0263 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/243 , H05K2201/10272 , H05K2203/0285 , Y10T29/49126 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及电路装置及其制造方法。该电路装置包括陶瓷基底，设置在陶瓷基底上的铝配线层以及电连接到配线层上的半导体装置和母线。配线层的一部分上镀有镍层。因而，提供了其中配线层覆盖有焊料润湿性优于铝的镍的被覆盖区域，以及其中从陶瓷基底上方看配线层被暴露的暴露区域。半导体装置通过焊料连接到被覆盖区域中的镍层。母线通过超声波接合到从陶瓷基底上方看被暴露的暴露区域内的配线层。因此，提供了包括以足够的接合强度接合到陶瓷基底上的半导体装置和母线的电路装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103038595A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180020109.6
申请日：2011-08-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: F28D15/02
CPC classification number: F28D15/0233 , B21D53/02 , F28D15/0283 , F28D15/04 , Y10T29/49353
Abstract: 本发明提供一种内部被分割成多个单元并且能够自由地设定各单元中工作流体的浓度的平板式热管的制造方法。本发明的制造方法包含准备扁平容器的工序、注入工序和封闭工序。在准备工序中，准备如下扁平容器：内部被两维地划分成多个单元，设置有将相邻的单元彼此连通的连通孔，具有用于从外部注入工作流体的注入孔。在注入工序中，通过注入孔和连通孔，将工作流体注入各单元。在封闭工序中，封闭注入孔和连通孔。一种方法，在封闭特定的单元之后，对其他单元重复进行加热、脱气注入、气化、封闭。
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公开(公告)号：CN1841726A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058500.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H05K3/328 , H01L23/5385 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/451 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/13055 , H05K1/0263 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/243 , H05K2201/10272 , H05K2203/0285 , Y10T29/49126 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及电路装置及其制造方法。该电路装置包括陶瓷基底，设置在陶瓷基底上的铝配线层以及电连接到配线层上的半导体装置和母线。配线层的一部分上镀有镍层。因而，提供了其中配线层覆盖有焊料润湿性优于铝的镍的被覆盖区域，以及其中从陶瓷基底上方看配线层被暴露的暴露区域。半导体装置通过焊料连接到被覆盖区域中的镍层。母线通过超声波接合到从陶瓷基底上方看被暴露的暴露区域内的配线层。因此，提供了包括以足够的接合强度接合到陶瓷基底上的半导体装置和母线的电路装置及其制造方法。
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