公开(公告)号：CN116741686A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310202682.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤冈仁志 ,  小柴健 ,  户川勤博 ,  荒内琢士

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括制备碳化硅基板(12)、生长外延层(50)和形成结构(20b、80)。所述碳化硅基板具有其上布置有凹陷形状的对准标记(20、20a)的上表面(12a)，并且垂直于上表面的垂直线(12s)相对于[0001]方向朝向[11‑20]方向倾斜。外延层在所述上表面生长并覆盖对准标记。该结构沿着所述上表面在[11‑20]方向上距离所述对准标记为间隔P的位置处形成在所述上表面上或上方。间隔P满足关系D/tanθ

公开(公告)号：CN108520897A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810159802.5

申请日：2018-02-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 荒内琢士 ,  金原启道 ,  辻村理俊 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通过沿着厚度方向绘制浮区中p型掺杂剂的浓度所得到的图中，在高浓度区和低浓度区之间的边界上出现弯曲点或拐点。在低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。