公开(公告)号：CN107068733B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201611257527.8

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN106463529B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580023346.6

申请日：2015-02-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。

公开(公告)号：CN109786462A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811332301.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  山本建策 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种抑制了体区中的面缺陷的成长的开关元件及其制造方法。该开关元件具有：SiC基板，其具有偏角；沟槽，其在对SiC基板的上表面进行俯视时沿着偏离方向而延伸；栅极绝缘膜以及栅极电极。SiC基板具有：n型的源极区；p型的接触区；p型的体区，其在源极区的下侧处与栅极绝缘膜相接，并且与接触区相比p型杂质浓度较低；n型的漂移区，其在体区的下侧处与栅极绝缘膜相接；多个低寿命区，其被配置在源极区和接触区中的至少一方与漂移区之间，并且与其周围的体区相比点缺陷密度较高。多个低寿命区以沿着偏离方向隔开间隔的方式被配置。在所述间隔中配置有体区的至少一部分。

公开(公告)号：CN108231593A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711348768.8

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 村上雄纪 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，制造漏电流难以流动且具有侧面p型区域的开关元件。开关元件的制造方法具有：准备半导体基板的工序，半导体基板具有n型的漏极区域、p型的体区域及沟槽，体区域配置在漏极区域上并且向半导体基板的表面露出，沟槽从表面贯通体区域而到达了漏极区域；及形成侧面p型区域的工序，通过对半导体基板进行加热而使体区域的一部分向沟槽内流入，来形成在比体区域靠下侧处沿着沟槽的侧面延伸的侧面p型区域。制造的开关元件具有栅极绝缘层、栅电极、底面p型区域及n型的源极区域。底面p型区域在沟槽的底面与栅极绝缘层相接，并且与侧面p型区域连接。

公开(公告)号：CN104900690B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510093283.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC‑IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。

公开(公告)号：CN107068733A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611257527.8

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN105097958A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510232850.9

申请日：2015-05-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  大西徹 ,  山寺秀哉 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。

公开(公告)号：CN103890955A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN110622320B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201880019440.8

申请日：2018-01-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。

公开(公告)号：CN109844954B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201780062414.9

申请日：2017-09-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 金原启道 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 一种半导体器件(10)，包括：半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)包括元件区域(20)和外周耐压区域(22)。所述外周耐压区域包括按照多种方式围住所述元件区域(20)的多个p型保护环(40)。所述保护环(40)中的每个保护环(40)包括高浓度区域(42)和低浓度区域(44)。最外侧保护环的低浓度区域包括位于所述最外侧保护环的高浓度区域的外周侧的第一部分(51x)。所述保护环的各个低浓度区域包括分别位于夹在多个高浓度区域中对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内的各个第二部分(52)。所述第一部分在前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。