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公开(公告)号：CN109844954B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780062414.9
申请日：2017-09-26
Abstract: 一种半导体器件(10)，包括：半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)包括元件区域(20)和外周耐压区域(22)。所述外周耐压区域包括按照多种方式围住所述元件区域(20)的多个p型保护环(40)。所述保护环(40)中的每个保护环(40)包括高浓度区域(42)和低浓度区域(44)。最外侧保护环的低浓度区域包括位于所述最外侧保护环的高浓度区域的外周侧的第一部分(51x)。所述保护环的各个低浓度区域包括分别位于夹在多个高浓度区域中对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内的各个第二部分(52)。所述第一部分在前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。
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公开(公告)号：CN109844954A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062414.9
申请日：2017-09-26
Abstract: 一种半导体器件(10)，包括：半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)包括元件区域(20)和外周耐压区域(22)。所述外周耐压区域包括按照多种方式围住所述元件区域(20)的多个p型保护环(40)。所述保护环(40)中的每个保护环(40)包括高浓度区域(42)和低浓度区域(44)。最外侧保护环的低浓度区域包括位于所述最外侧保护环的高浓度区域的外周侧的第一部分(51x)。所述保护环的各个低浓度区域包括分别位于夹在多个高浓度区域中对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内的各个第二部分(52)。所述第一部分在前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。
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公开(公告)号：CN117497589A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310928782.4
申请日：2023-07-27
Inventor： 金原启道
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具有下侧反复层(13A)和上侧反复层(13B)。第2导电型柱下侧部分(15A)和第2导电型柱上侧部分(15B)的至少某一方包括中央部分(42、48)和端部(44、46)，该端部设在下侧反复层与上侧反复层之间的边界面和中央部分之间。沿着反复方向测定的边界面处的端部分的宽度(Lpa2、Lpb2)比沿着反复方向测定的中央部分的宽度(Lpa1、Lpb1)小。
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公开(公告)号：CN109686791A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811211684.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开开关元件及其制造方法。开关元件具备半导体基板、沟槽、栅极绝缘膜以及栅极电极。源极区域在半导体基板的上表面露出，与栅极绝缘膜相接。主体区域在源极区域的下侧与栅极绝缘膜相接。漂移区域在主体区域的下侧与栅极绝缘膜相接。底部区域在沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。连接区域在沟槽的侧面与栅极绝缘膜相接，连接主体区域与底部区域。沟槽的侧面具有第一侧面和位于第一侧面的下侧的第二侧面。第二侧面的倾斜角度比第一侧面的倾斜角度大。主体区域与漂移区域的界面在第一侧面与栅极绝缘膜相接。
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公开(公告)号：CN108520897A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810159802.5
申请日：2018-02-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通过沿着厚度方向绘制浮区中p型掺杂剂的浓度所得到的图中，在高浓度区和低浓度区之间的边界上出现弯曲点或拐点。在低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。
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