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公开(公告)号：CN101040409B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580034733.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n-型敷层(4)；衬底(3)上形成的p-型敷层(6)；插入n-型敷层(4)和p-型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN1610136A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410062177.0
申请日：2004-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/28 , H01L2224/48463
Abstract: 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN1599086A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410032570.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n－型ZnMgSSe覆盖层(3)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p－型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102164652A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137609.0
申请日：2009-09-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B01D53/86 , B01J19/08 , B01J23/50 , B01J23/755 , B01J35/08 , C25B9/08 , C25B11/06 , H01M4/86 , H01M8/02
CPC classification number: B01D53/326 , B01D53/56 , B01D53/58 , B01D53/72 , B01D2251/102 , B01D2257/7027 , B01D2257/708 , H01M4/8652 , H01M4/8657 , H01M4/9066 , H01M8/008 , H01M8/2404 , H01M8/243 , H01M8/2432 , H01M2008/1293 , Y02P70/56 , Y02W30/86
Abstract: 本发明提供一种电化学反应器，其尺寸小但具有高的处理能力，不产生NOx或二氧化碳，可以在低运营成本下进行操作，在组装过程中易于处理，并且具有简单的结构和高的耐久性。本发明还提供所述反应器的制造方法、气体分解元件、氨分解元件和发电机。电化学反应器10包括多孔阳极2、与所述阳极配对的多孔阴极5、以及插在所述阳极和所述阴极之间的具有离子导电性的离子导电材料1。所述阳极2包括表面被氧化的金属粒子链21。
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公开(公告)号：CN101040409A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034733.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN115469470A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210623939.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光调制器以及光调制器的制造方法。光调制器具备：沿第一方向延伸的第一台面波导；以及第二台面波导。第一台面波导具备设置于衬底上的p型的第一半导体层、设置于第一半导体层上的芯层、设置于芯层上的p型的第二半导体层、以及设置于芯层上的n型的第三半导体层。第二半导体层以及第三半导体层配置为在第一方向上彼此相邻。在第三半导体层上设置有电极。第二半导体层与第三半导体层之间的接合面相对于与第一方向正交的面倾斜。
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公开(公告)号：CN100347868C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410062177.0
申请日：2004-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/28 , H01L2224/48463
Abstract: 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II-VI化合物半导体区和II-VI化合物半导体层。II-VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II-VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II-VI化合物半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN100342557C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410032570.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n-型ZnMgSSe覆盖层(3)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p-型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。
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