光调制器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115509033A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202210538074.5

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明提供一种光调制器。光调制器具备:具有包含第一区及第二区的主面的衬底;设置于第一区上的光调制部;以及设置于第二区上的光波导部。光调制部具备:第一台面波导;以及与第一台面波导连接的电极。第一台面波导具备:设置于衬底上的p型半导体层、设置于p型半导体层上的第一芯层、以及设置于第一芯层上的n型半导体层。光波导部具备第二台面波导。第二台面波导具备:设置于衬底上的第一包覆层;设置于第一包覆层上的第二芯层;以及设置于第二芯层上的第二包覆层。第二芯层与第一芯层光学耦合。第一包覆层包含p型掺杂剂以及质子。第二包覆层包含n型掺杂剂。

    半导体光元件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114725776A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202111359885.0

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明提供半导体光元件及其制造方法。半导体光元件集成有射出光的发光区域和调制光的调制器区域,具备:第一台面,其设置于发光区域,沿光的传播方向延伸,向与光的传播方向交叉的方向突出,包含活性层;第一隐埋层及第二隐埋层,它们设置于与光的传播方向交叉的方向上的第一台面的两侧,沿第一台面的突出方向依次层叠;第一半导体层,其设置于第一台面及第二隐埋层之上;第二台面,其设置于调制器区域,沿光的传播方向延伸,向与光的传播方向交叉的方向突出,包含光吸收层;及第三隐埋层,其设置于第二台面的两侧,第一半导体层及第一隐埋层具有第一导电型,第二隐埋层具有与第一导电型不同的第二导电型,第三隐埋层为半绝缘性的半导体层。

    光调制器以及光调制器的制造方法

    公开(公告)号:CN115469470A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210623939.8

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明提供一种光调制器以及光调制器的制造方法。光调制器具备:沿第一方向延伸的第一台面波导;以及第二台面波导。第一台面波导具备设置于衬底上的p型的第一半导体层、设置于第一半导体层上的芯层、设置于芯层上的p型的第二半导体层、以及设置于芯层上的n型的第三半导体层。第二半导体层以及第三半导体层配置为在第一方向上彼此相邻。在第三半导体层上设置有电极。第二半导体层与第三半导体层之间的接合面相对于与第一方向正交的面倾斜。

Patent Agency Ranking