淀积膜形成系统和方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1132962C

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN99125440.6

    申请日:1999-10-18

    Abstract: 淀积膜形成系统具有:至少一个真空容器;向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;使原料气体成为等离子体的放电电极;以及供电导体,将高频功率施加至放电电极,该系统包括:接地屏蔽,在真空容器内围绕供电导体设置;和多个电介质材料部件,它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电,并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。

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