公开(公告)号：CN108732659A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810340346.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本诚谦 ,  圷收 ,  星野和弘

IPC: G02B3/00 ,  G02B5/04 ,  G02B1/00

CPC classification number: G02B1/115 ,  C03C17/3452 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/285 ,  C03C2217/73 ,  C03C2218/156 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供光学薄膜和光学元件的制造方法。设置在基底基材上的光学薄膜包括主成分为氧化镱的层和主成分为氟化镁的层。主成分为氟化镁的层布置在所述主成分为氧化镱的层上。主成分为氟化镁的层相对于主成分为氧化镱的层与基底基材相对配置。

公开(公告)号：CN118547244A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410186966.2

申请日：2024-02-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石川恭兵 ,  星野和弘 ,  知花贵史

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  G02B1/10 ,  G02B1/115

Abstract: 寻求即使持续长期使用也难以发生膜剥离的元件、设备。为元件，是具备基体和在上述基体上设置的结构体的元件，其特征在于，上述结构体包含铝化合物膜，将相对于上述铝化合物膜中的全部元素的、铝的原子数浓度设为[Al]at％，氧的原子数浓度设为[O]at％，氟的原子数浓度设为[F]at％，氢的原子数浓度设为[H]at％时，满足[Al]/[O]＞2/3、且[F]/([O]+[F]+[H])≥0.01、且[H]/([O]+[F]+[H])≥0.01、且([F]+[H])/([O]+[F]+[H])≥0.5。

公开(公告)号：CN106065464A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610245080.6

申请日：2016-04-19

Applicant: 佳能特机株式会社 ,  佳能株式会社

Inventor： 村上泰夫 ,  星野和弘 ,  佐藤亨 ,  竹见崇 ,  中村谕 ,  熊木智洋

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/54 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/352 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/342 ,  C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/543

Abstract: 本公开内容涉及膜沉积装置和膜沉积方法。膜沉积装置包括：真空室；圆柱靶，该靶的圆周面与基板相对，并且该靶在真空室中被设置为与基板的传送方向相交；驱动单元，其被配置为旋转地驱动靶；磁场产生器，其设置在靶的内侧；反应性气体流出单元，其被配置为流出反应性气体，该反应性气体流出单元设置在靶的附近；光发射监视器，其被配置为监视在基板和靶之间的位置处且在靶附近的等离子体的光发射强度；以及控制单元，其被配置为控制由驱动单元驱动的靶的旋转速度，以使得由光发射监视器监视的光发射强度接近预设的目标光发射强度。

公开(公告)号：CN108732659B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201810340346.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本诚谦 ,  圷收 ,  星野和弘

IPC: G02B3/00 ,  G02B5/04 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明提供光学薄膜和光学元件的制造方法。设置在基底基材上的光学薄膜包括主成分为氧化镱的层和主成分为氟化镁的层。主成分为氟化镁的层布置在所述主成分为氧化镱的层上。主成分为氟化镁的层相对于主成分为氧化镱的层与基底基材相对配置。

公开(公告)号：CN118057216A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311527621.0

申请日：2023-11-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 星野和弘 ,  阿部达毅 ,  知花贵史 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生

IPC: G02B1/115 ,  G02B5/08 ,  G02B5/04

Abstract: 提供在实现具有良好的光学特性的光学元件上有利的技术。光学元件，是具备基体及在上述基体上设置的光学结构体的光学元件，其中，上述光学结构体至少具有至少一个金属氧化物层、和至少一个金属氟化物层，上述一个金属氧化物层与上述一个金属氟化物层之间的距离比上述一个金属氟化物层的厚度小，将上述至少一个金属氧化物层中的铪的含量设为[Hf]原子％、将上述至少一个金属氧化物层中的镁的含量设为[Mg]原子％，满足：0.01≤[Mg]/([Mg]+[Hf])＜0.35。

公开(公告)号：CN117170000A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310621789.1

申请日：2023-05-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 知花贵史 ,  星野和弘 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生 ,  阿部达毅

IPC: G02B5/08 ,  G02B5/04 ,  G02B3/00

Abstract: 本发明涉及光学元件和设备。提供一种有利于提高对紫外光的光学特性的技术。一种光学元件，具备基体和设置在所述基体之上的光学构造体，其中，所述光学构造体至少具有第1电介质层、第2电介质层、第3电介质层，该第3电介质层位于所述第1电介质层与所述第2电介质层之间，具有比所述第1电介质层和所述第2电介质层低的折射率，所述第1电介质层和所述第2电介质层是含有氧化铝和氢的膜，将所述膜中的氧的含量设为[O]at％，将所述膜中的铝的含量设为[Al]at％，将所述膜中的氢的含量设为[H]at％，满足[Al]+[O]≥50.0at％以及[O]/([Al]+[H])≤1.40。

公开(公告)号：CN115390165A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210534600.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 阿部达毅 ,  石川恭兵 ,  星野和弘 ,  知花贵史 ,  小林广明

IPC: G02B1/00 ,  G02B1/115

Abstract: 本发明涉及膜、元件和设备。一种膜，其包含非晶态过渡金属氧化物作为主要成分以及1.0at％以上的氢。