公开(公告)号：CN101908525B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201010196500.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木武志

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体基板和布置在所述半导体基板上的多层配线结构，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，布置在绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些中具有间隙，以及该间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。

公开(公告)号：CN101908525A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010196500.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木武志

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体基板和布置在所述半导体基板上的多层配线结构，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，布置在绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些中具有间隙，以及该间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。

公开(公告)号：CN102194844B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201110060175.8

申请日：2011-03-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木武志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及固态图像传感器。所述固态图像传感器包含有效像素部分和布置在有效像素部分周围的周边部分，在有效像素部分中布置有多个包含半导体基板上形成的光电二极管的像素，所述固态图像传感器包含：被布置在半导体基板之上的多个金属布线层；以及覆盖作为所述多个金属布线层之中的顶层的被构图的金属布线层的平坦化膜，其中，在有效像素部分中，所述多个金属布线层具有被配置为将光引导至光电二极管的开口，并且，在周边部分中，在顶层中设置有开口，并且顶层和半导体基板之间的至少一个金属布线层具有阻挡经由顶层中的开口入射在光电二极管上的光的图案。

公开(公告)号：CN102194844A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110060175.8

申请日：2011-03-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木武志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及固态图像传感器。所述固态图像传感器包含有效像素部分和布置在有效像素部分周围的周边部分，在有效像素部分中布置有多个包含半导体基板上形成的光电二极管的像素，所述固态图像传感器包含：被布置在半导体基板之上的多个金属布线层；以及覆盖作为所述多个金属布线层之中的顶层的被构图的金属布线层的平坦化膜，其中，在有效像素部分中，所述多个金属布线层具有被配置为将光引导至光电二极管的开口，并且，在周边部分中，在顶层中设置有开口，并且顶层和半导体基板之间的至少一个金属布线层具有阻挡经由顶层中的开口入射在光电二极管上的光的图案。

公开(公告)号：CN100590846C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710148317.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈川崇 ,  成濑裕章 ,  让原浩 ,  西村茂 ,  青木武志 ,  藤野优也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。

公开(公告)号：CN101136367A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148317.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈川崇 ,  成濑裕章 ,  让原浩 ,  西村茂 ,  青木武志 ,  藤野优也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。