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公开(公告)号：CN112526822B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010979904.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]#imgabs0#式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
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公开(公告)号：CN111856882B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111458980B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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公开(公告)号：CN111057088B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110627600B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN111995751A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN111855581A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010334210.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
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公开(公告)号：CN110627600A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的结构。 式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110003413A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811594814.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 群荣化学工业株式会社
IPC: C08G8/20
Abstract: 本发明提供能够抑制软颗粒的产生、适用于过滤性良好的组合物中的二羟基萘缩合物及其制备方法。所述二羟基萘缩合物的制备方法中，使用成分元素中的硫元素的含量以质量比计为100ppm以下的二羟基萘，在酸或碱的存在下使该二羟基萘与缩合剂缩合而制备所述二羟基萘缩合物。
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