-
公开(公告)号：CN118390126A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410480531.9
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种银锡混合核壳包覆铜颗粒的制备方法，涉及电子封装用导电浆料领域，包括步骤S1、铜粉表面的预处理；步骤S2、铜粉的分散；步骤S3、共沉积电镀液的配置；步骤S3、共沉积电镀液的配置。本发明通过电化学方法制备的铜基核壳包覆粉末解决了传统化学法制备时银锡不能同时沉积的问题，且制备出的颗粒包覆层连续、致密，分散性良好，抗氧化性好。
-
公开(公告)号：CN114438480B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210116552.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明提供一种耐候钢的表面自清洁涂层制备方法，属于金属表面处理技术领域。该方法将已形成稳定锈层的耐候钢在改性SiO2悬浊液中浸泡一段时间或者喷涂后干燥，即完成对耐候钢表面的疏水处理，使其表面达到自清洁功能。本发明利用已形成的稳定锈层和浸渍法/喷涂法，使得处理方法操作简单、成本更低、安全可靠且灵活性高，同时采用上述方法制备的自清洁涂层不易脱落，具有良好的疏水效果。特别地，采用SiO2而不使用其他硅类化合物，能够产生疏水层的同时而不破坏耐候钢锈层。
-
公开(公告)号：CN111006577A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911303546.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供了一种变温过程中陶瓷基板热应变的测量系统及方法，涉及陶瓷基板技术领域，能够实时反映变温过程中陶瓷基板表面不同部位的热应变情况，操作简便，测量精度高；该系统包括陶瓷基板，设于冷热循环装置内，在冷热循环装置的变温过程中产生应变；应变片，设于陶瓷基板表面，用于感知陶瓷基板的应变；应变仪，与应变片连接，用于采集应变片感知到的应变数据；数据处理单元，用于对应变仪采集的应变数据进行分析和处理；温度传感器，用于采集陶瓷基板表面的温度，并传输给温度记录仪；以及温度记录仪，与温度传感器连接，用于记录和保存温度传感器测量的温度数据。本发明提供的技术方案适用于陶瓷表面应变测量的过程中。
-
公开(公告)号：CN108520855A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810445499.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公一种纳米银浆提高陶瓷覆铜板可靠性的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷基片进行清洗（2）依次在陶瓷上下表面采用真空磁控溅射或离子镀Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层，并化学镀银；（3）在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆纳米银焊膏层，和化学镀银铜箔装卡后在真空炉中进行烧结。由于采用上述技术方案，本发明方法利用纳米银浆使陶瓷基板实现厚铜连接，银粉粒度达到纳米级别，其表面效应会使纳米银浆的熔点远低于与银块体材料。与现有Ag-Cu合金真空钎焊工艺相比，本发明可实现低温下烧结后，可以在低于银的熔点以下高温使用，烧结后形成的微孔结构对缓解陶瓷基板由于热胀系数不匹配造成的热应力有重要作用。
-
公开(公告)号：CN101615467A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910085267.4
申请日：2009-06-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。本方法采用铬和氧化锌双靶共溅射，系统的本底真空度为10－5Pa－10－3Pa，溅射过程中工作气体为高纯氩气，流量为5－15cm3/min，溅射过程中的工作气压为10－2－10－1Pa，靶材与基体间的距离为35－70mm。基体经超声清洗和除去表面氧化物和其它杂质后，通过改变不同的靶功率得到不同掺杂浓度的氧化锌基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何后续的处理就可以得到室温铁磁性能和高的居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100408719C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610011993.8
申请日：2006-05-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化铬复合涂层的制备方法，涉及硬质涂层的制备。本发明主要解决传统硬质涂层摩擦系数高、粘结强度差、耐腐蚀性差等问题，以及解决多金属元素复合涂层各金属元素比例难以控制的问题。提出采用非平衡射频反应磁控溅射系统和耐腐蚀性较强且其氧化物又具有较高硬度的铬，用单一铬金属靶来制备复合涂层，制备时先溅射铬金属作为过渡层，然后通入氧气，不断调整氧气流量和溅射功率，当氧气流量达到最高值时，加上直流负偏压。本发明制备的涂层摩擦系数低，耐磨性高，同时具有良好的耐腐蚀性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN1397660A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02116687.0
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射阴极及其溅射方法，其特征在于：法兰(28)安装于真空室壁上，在法兰(28)上有密封胶圈(26)和固定螺栓孔(27)，基片(37)置于阴极上方进行溅射镀膜；对于具有轴对称的圆形磁控溅射阴极，铁磁性靶材由中心圆形靶材(21’)和外侧环型靶材(21)组成，中心圆形靶材与外侧环形靶材之间有5－60mm的间隙，溅射在间隙附近发生；靶材(21，21’)、磁极(22，22’)、磁铁(23，23’)和磁极背板(38)构成闭合磁路；其中磁极和磁极背板采用高饱和磁化强度材料；靶体(33)采用具有良好导热性的材料制造。在溅射过程中，等离子体中的离子对靶材表面的轰击，将有大量的热能产生，在靶体内构造出冷却水道(39)。本发明的优点在于：克服了铁磁性靶材对磁路的屏蔽效应；增加一致性，易于安装和维护。
-
公开(公告)号：CN110396671A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910722742.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高通量制备多组分均匀薄膜材料的装置和方法，涉及薄膜制备技术领域，能够通过一次实验制备出多种不同材料成分的均匀的薄膜样品，大大提高制备效率；该装置包括反应腔室，所述反应腔室内设有沉积台平板、驱动系统和溅射靶，所述溅射靶吊设在所述反应腔室的顶部；所述沉积台平板上设有若干旋转沉积微区单元，所述旋转沉积微区单元穿过所述沉积台平板，且与所述沉积台平板间可旋转的连接；所述旋转沉积微区单元与所述驱动系统连接，在所述驱动系统的动力驱动下实现同步旋转。本发明提供的技术方案适用于溅射制备薄膜的过程中。
-
公开(公告)号：CN108040435A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711322006.0
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法。所述的氮化铝陶瓷基板为活性钎焊陶瓷基板，所述的刻蚀分两步进行，第一步刻蚀合金钎料层，第二步刻蚀钎料和陶瓷的界面反应层。第一步刻蚀液由硝酸和过氧化氢组成，所述硝酸和过氧化氢的体积比为0.3‑2：0.8‑1.5，所述的硝酸的质量浓度为65％‑70％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。第二步刻蚀液由硫酸和过氧化氢和水组成，所述的硫酸和过氧化氢的体积比为0.5‑2：0.3‑1.5：0.1，所述的硫酸的质量浓度是98％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。本发明采用新配方的刻蚀溶液，可以对活性钎焊散热基板的钎焊层和界面反应层进行选择性的去除，刻蚀速率较快，实现了陶瓷基板的高精度高效刻蚀。
-
公开(公告)号：CN108033810A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711318747.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，属于覆铜基板制造技术领域。本发明在陶瓷基板的上下两个表面分别进行双层预金属化和钎焊，解决了现有的陶瓷覆铜板焊接强度低，界面应力大，使用可靠性低的问题。具体步骤为：(1)将氮化铝陶瓷进行清洗，然后采用真空磁控溅射或离子镀的方法对陶瓷表面进行离子轰击；(2)依次在陶瓷上下表面真空磁控溅射或离子镀沉积Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层；(3)在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆金属焊膏，装卡后在真空钎焊炉中进行高温焊接。本发明可以实现氮化铝陶瓷基板厚铜连接，工艺简单，并提高了氮化铝陶瓷厚铜金属化的效果，与直接钎焊相比界面应力更低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.027 seconds)
