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公开(公告)号：CN119092583A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410968392.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；其中，P型电场调控层的掺杂浓度和厚度被配置为使得非特意掺杂收集层的电场平坦且维持在发生峰值速度对应的电场附近；非特意掺杂收集层的厚度被配置为使得结电容降低。本发明可以同时提高单行载流子光电探测器芯片的高速响应特性和高饱和输出性能。
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公开(公告)号：CN118016748A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410030541.2
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括：依次设置于半导体材料衬底上方的第一电极接触层、电子收集层和崖层、设置于崖层上方的吸收层、设置于吸收层上方的电子扩散阻挡层、设置于电子扩散阻挡层上方的第二电极接触层、设置于第二电极接触层上方的光学散射结构和设置于光学散射结构上方的光学薄膜层；光学薄膜层构成波导结构的上包层，电子收集层构成波导结构的下包层，光学散射结构用于使得入射光从垂直入射方向进行散射，并将部分散射光耦合进单行载流子光探测器构成的波导结构中进行横向传播，以增加了入射光在吸收层的传播距离。本发明提供的单行载流子光探测器，能够有效提高单行载流子光探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN115458618A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211193879.7
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/109
Abstract: 本申请涉及半导体光电器件技术领域，提供一种单行载流子光电二极管。包括依次连接的p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层；以及位于所述p型接触层上的p电极与位于所述n型接触层上的n电极；其中，所述收集层的厚度为1300纳米至1700纳米。本申请通过选取厚度为1300纳米至1700纳米的收集层，将p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层依次连接，并在p型接触层与n型接触层上分别设置p电极与n电极，构成单行载流子光电二极管，降低单行载流子光电二极管中的寄生电容，提高单行载流子光电二极管的总带宽，以提高单行载流子光电二极管的工作效率。
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公开(公告)号：CN115292877A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210716209.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于拓扑优化的光子器件自适应逆向设计方法，在设计过程中，采用兼具差异化处理特性和动态调整特性的自适应投影函数。本发明在提升了光子器件设计效率的基础上，保证逆向设计得到的光子器件具有优秀的性能指标，此外设计得到的光子器件已完全二值化，省掉了额外的离散优化，不仅解决了离散优化导致光子器件品质因数劣化问题，而且还简化了设计流程。进一步地，本发明逆向设计得到的光子器件物理尺寸小、易于规模化集成、可利用常规半导体光刻工艺进行制备，有望推动光子集成芯片尤其是硅基光子集成芯片的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113284790A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN111751909A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010502084.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统，该超透镜包括周期性薄膜结构和至少一层纳米间隙层，其中：所述周期性薄膜结构是由金属层和介质层堆叠构成的，所述纳米间隙层的两侧为所述介质层。本发明实施例通过引入纳米间隙层，使得坡音廷矢量在纳米间隙层与介质层的交界面处发生传播方向的偏折，从而导致物像的主瓣和旁瓣的对数比增大，大幅改善两个及两个以上物体成像时，多个像点的旁瓣与旁瓣之间以及旁瓣与主瓣之间互相重叠导致的干扰问题，并能对静止的物体和/或移动的物体进行突破衍射极限的纳米级超高分辨率三维成像，在纳米材料实时成像、生物医学成像和超精密纳米光刻等领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN110544732A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910807033.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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公开(公告)号：CN109817788A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811556261.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种管壁内嵌化学合成量子点的管状微腔及其制备方法。该管状微腔为内嵌化学合成量子点的无源介质薄膜通过释放应力自卷曲形成的中空管状结构；所述化学合成量子点完全被所述无源介质薄膜包裹。本发明将化学合成量子点嵌设在自卷曲微米管的管壁中，相对于外延生长量子点方式，化学合成量子点的尺寸和分布的可控性和均匀性良好，发光特性优异，制作成本很低且适合大规模制备；特别是，本发明相对于将化学合成量子点包覆在自卷曲微米管管壁表面方式，不仅大幅度提高了量子点发光与微腔谐振模式之间的耦合效率，还避免了化学合成量子点因受到外界气体或液体环境影响而导致微腔光学性能恶化甚至失效的情况。
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公开(公告)号：CN109459817A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811453417.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/136
Abstract: 本发明实施例提供了一种单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过在SOI衬底上刻蚀图形窗口来生长激光器结构，通过在SOI衬底中的硅波导层上生长探测器结构，激光器和探测器通过刻蚀出的硅波导结构连接，从而实现了片上激光器、探测器以及硅波导结构的集成。本发明实施例中提供的单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过直接刻蚀图形窗口来生长激光器结构，具有高重复性和可靠性，能够大规模的制备，大大降低了成本，具有很好的应用前景，弥补了目前无法通过直接选区外延的方式实现可实用的片上光电集成的空白，特别是弥补了激光器与其他器件的片上集成问题。
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