公开(公告)号：CN118315921A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410431742.3

申请日：2024-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 张悦 ,  孙振兴 ,  赵杰 ,  杨子江 ,  徐真真 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/02345 ,  H01S5/02251 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法，包括可调谐激光器、外调制器和光纤阵列，可调谐激光器为由若干个激光器组成的矩阵式多波长分布式反馈激光器阵列，通过若干波导将多个激光器连成阵列，其中波长相近的激光器分布在不同的波导上，各波导的光波输出端级联耦合；可调谐激光器与外调制器之间、外调制器与光纤阵列之间均为通过光子引线键合技术进行耦合连接。本发明通过光子引线键合技术使可调谐激光器、调制器与光纤阵列之间高效耦合，并根据激光器的波长形成阵列排布，降低光栅之间的串扰，实现稳定的单模工作。

公开(公告)号：CN117394130A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311347254.6

申请日：2023-10-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  孙振兴 ,  张悦 ,  杨子江 ,  马雨心 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/10 ,  H01S5/065 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/40 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明公开了一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法，包括由下至上依次叠设的衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、InP缓冲层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层；其中光栅层由激光器光栅构成，采用基于重构等效啁啾技术的非对称等效相移的光栅结构，激光器腔面两端分别采用HR镀膜、AR镀膜，将光栅等效相移位置于HR镀膜端面1/5腔长处，且激光器光栅具有光栅周期线性渐变；本发明的激光器倒装焊在特殊制作的过渡热沉上。本发明能改善多波长半导体激光器阵列的散热性能，降低激光器芯片的温升。本发明具有多通道阵列同时出光、结温低、输出光功率高、结构简单、集成度高等特性。

公开(公告)号：CN115313145A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211015834.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 孙振兴 ,  徐真真 ,  王亚光 ,  杨子江 ,  王鸿基 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种相干多波长激光器，包括F‑P激光器、可饱和吸收体和波长选择镀膜单元；所述F‑P激光器采用双异质结多量子阱结构作为增益介质提供增益，利用端面反射提供反馈实现多波长的激射；所述波长选择镀膜单元，用于在激光器输出端面和可饱和吸收体后端面进行指定光学带宽的光学镀膜；所述可饱和吸收体集成在F‑P激光器背光段，采用与F‑P激光器相同的双异质结多量子阱结构，F‑P激光器以及可饱和吸收体隔离分别加电。本发明不仅能满足WDM系统对高功率多波长光源的需求，还可同时兼顾DWDM和OFDM技术对波长相干性需求。

公开(公告)号：CN115313139A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210972290.0

申请日：2022-08-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 孙振兴 ,  王亚光 ,  杨子江 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S3/23 ,  H01S3/02

Abstract: 本发明公开了一种串并联可调谐激光器阵列的优化加电方法，S1、在串并联可调谐激光器阵列表面生长集成薄膜电阻，或在串并联可调谐激光器阵列贴片的薄膜电路上生长薄膜电阻；S2、计算串并联可调谐激光器阵列中需不同单一电源的各个激光器、合波、光放大器的供电方案；S3、通过控制薄膜电阻阻值的大小，实现电流在串并联可调谐激光器阵列中的分配，对串并联可调谐激光器阵列中的激光器、合波、光放大器使用单一电源进行加电。大幅缩减了串并联激光器的电流源数量，从而为串并联激光器的进一步应用减轻系统复杂程度。

公开(公告)号：CN118213854A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410374980.5

申请日：2024-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 杨子江 ,  孙振兴 ,  赵杰 ,  张悦 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明提供一种用于NG‑PON2突发模式的三段式半导体激光器，由DFB区和两个反射区组成，三者共用一个光栅反馈层；光栅整体采用线性渐变啁啾结构，并在DFB区中间引入π相移。本发明还给出了三段式半导体激光器的制作及应用方法，工作时，DFB区注入正常工作电流，反射区注入小电流，反射区提供反馈以维持DFB的正常激射，反射区中小电流对芯片的热效应贡献较小，但是其提供的反馈可以维持正常的激射；当反射区中不注入电流时，DFB区因缺乏反馈不能实现激射。本发明通过控制反馈区中小电流从而实现大消光比的突发模式，且突发模式实现的过程中，DFB有源区结温几乎无变化，因此没有发生波长漂移。本发明为NG‑PON2中突发模式激光器的实现提供了解决方案。

公开(公告)号：CN119447995A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411549646.5

申请日：2024-11-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 张悦 ,  孙振兴 ,  徐贾乐 ,  赵杰 ,  杨子江 ,  范亚强 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/343 ,  H01S5/065 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种基于非对称多量子阱技术的多通道光发射芯片阵列，其中，非对称多量子阱层由间隔分布的压应变InGaAlAs量子阱和拉应变InGaAlAs量子垒构成，压应变InGaAlAs量子阱的发光波长由上至下逐渐减小，形成非对称结构；光栅层为若干光栅组成的阵列结构，形成若干激光器单元，光栅层采用重构等效啁啾技术制作，依次通过全息光刻和紫外光刻在每个激光器单元制作光栅周期均匀的取样光栅结构，且取样光栅中心设置π相移。本发明还给出了上述多通道光发射芯片阵列的制备方法。本发明能够实现发射波长的精准控制，通过非对称结构的量子阱为每个激光器单元提供足够的增益，提高了单模良率和传输容量，简化了光栅的制备难度，满足新兴计算应用对互联网传输速率的需求。